化学増幅型レジスト

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：稲垣清
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-372657
公開番号（公開出願番号）：特開2001-188344
出願日： 1999年12月28日
公開日（公表日）： 2001年07月10日
要約：

【要約】【課題】 0.15μm以下のデザインルールに対応できる、寸法及び形状制御性の良好な化学増幅型レジストを提供する。【解決手段】本化学増幅型レジストは、〔化1〕に示す化学構造式及び5000以上20000以下の分子量を有し、ベース樹脂として配合されたエトキシエチル保護型ヒドロキシスチレン樹脂と、感放射線性酸発生剤と、充填剤として添加された分子量が150以上20000以下のポリスチレンとを溶剤で溶解してなる化学増幅型レジストである。ベース樹脂の含有率は、化学増幅型レジスト全体に対する重量比で10%以上20%以下、感放射線性酸発生剤及び充填剤の添加率が、それぞれ、ベース樹脂に対する重量比で、1%以上15%以下、及び、0.5%以上6.0%以下であり、並びに残部が溶剤である。【化1】

請求項（抜粋）：

〔化1〕に示す化学構造式及び5000以上20000以下の分子量を有し、ベース樹脂として配合されたエトキシエチル保護型ヒドロキシスチレン樹脂と、感放射線性酸発生剤と、充填剤として添加された分子量が150以上20000以下のポリスチレンとを溶剤で溶解してなる化学増幅型レジストであって、ベース樹脂の含有率が、化学増幅型レジスト全体に対する重量比で10%以上20%以下、感放射線性酸発生剤及び充填剤の添加率が、それぞれ、ベース樹脂に対する重量比で、1%以上15%以下、及び、0.5%以上6.0%以下であり、並びに残部が溶剤であることを特徴とする化学増幅型レジストベース樹脂に対する。【化1】

IPC (5件)：

G03F 7/039 601 , G03F 7/004 501 , G03F 7/004 503 , G03F 7/38 501 , H01L 21/027

FI (5件)：

G03F 7/039 601 , G03F 7/004 501 , G03F 7/004 503 A , G03F 7/38 501 , H01L 21/30 502 R

Fターム (22件)：

2H025AA00 , 2H025AB16 , 2H025AC08 , 2H025AD03 , 2H025BE00 , 2H025BE07 , 2H025BG00 , 2H025CC03 , 2H025CC08 , 2H025DA34 , 2H025FA01 , 2H025FA03 , 2H025FA12 , 2H025FA17 , 2H025FA41 , 2H096AA25 , 2H096BA09 , 2H096BA20 , 2H096EA05 , 2H096GA08 , 2H096HA23 , 2H096JA04

引用特許：

審査官引用 (8件)

レジスト組成物
公報種別：公開公報出願番号：特願平6-187831 出願人：日本ゼオン株式会社
感光性組成物
公報種別：公開公報出願番号：特願平11-023935 出願人：株式会社東芝
新規ポリマー
公報種別：公開公報出願番号：特願平10-360046 出願人：和光純薬工業株式会社, 松下電器産業株式会社

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