特許
J-GLOBAL ID：200903028013411112
プラズマ処理装置
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
亀谷 美明 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-303464
公開番号（公開出願番号）：特開平11-124677
出願日： 1997年10月16日
公開日（公表日）： 1999年05月11日
要約：
【要約】【課題】 誘電体壁の高周波アンテナ側面での沿面放電の発生を防止することが可能な誘導結合プラズマ処理装置を提供する。【解決手段】 CVD装置100の処理容器102内は,誘電体壁104によって処理室106とアンテナ室108に気密に隔離される。処理室106内には,LCD基板Lを載置する下部電極110が配置される。アンテナ室108内の底面部を構成する誘電体壁104上には,耐熱性を有し,誘電率が誘電体壁104よりも相対的に低い低誘電率化合物膜128を介して,高周波アンテナ130が配置される。高周波アンテナ130に高周波数及び高電力の高周波電力を印加した場合でも,誘電体壁104のアンテナ室108側面に沿面放電が生じることがない。
請求項（抜粋）：
処理室の少なくとも一壁を成す誘電体壁の外側に設けられた高周波アンテナに高周波電力を印加して前記処理室内に高周波誘導結合プラズマを励起し,前記処理室内に配置された被処理体に対してプラズマ処理を施す如く構成されたプラズマ処理装置において,少なくとも前記高周波アンテナと前記誘電体壁との間に,誘電率が前記誘電体壁よりも相対的に低い低誘電率化合物膜を介装することを特徴とする,プラズマ処理装置。
IPC (9件)：
C23C 16/50
, C08L 59/00
, C08L 77/00
, C08L 79/08
, C08L101/12
, C23F 4/00
, H01L 21/205
, H01L 21/31
, H05H 1/46
C23C 16/50
, C08L 59/00
, C08L 77/00
, C08L 79/08 Z
, C08L101/12
, C23F 4/00 A
, H01L 21/205
, H01L 21/31 C
, H05H 1/46 L
