特許
J-GLOBAL ID：200903028013653825

発光ダイオード

発明者：
古賀 洋美

古賀 洋美 について

, 
高橋 誠一

高橋 誠一 について

, 
加藤 陽弘

加藤 陽弘 について


出願人/特許権者：
岡谷電機産業株式会社

岡谷電機産業株式会社 について


代理人 (1件)： 奥田 弘之 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-396258
公開番号（公開出願番号）：特開2003-197976
出願日： 2001年12月27日
公開日（公表日）： 2003年07月11日
要約：
【要約】【課題】 エネルギーの大きい紫外光等の短波長光によるコーティング材の劣化を防止でき、コーティング材の劣化に起因する光度の減少や色調変化を生じることのないLEDを実現する。【解決手段】 LEDチップ搭載用の第1のリードフレーム12に、その底面から上方に向かって孔径が徐々に拡大する略漏斗形状の凹部を設けると共に該凹部内面を反射面と成してリフレクタ14を形成し、該リフレクタ14の底面上に、主発光波長が400nm以下のLEDチップ16をダイボンドにより接続固定すると共に、上記LEDチップ16の表面を透光性を備えた無機材料より成るコーティング材22で被覆・封止した。
請求項（抜粋）：
基体の一面上にLEDチップを配置すると共に、該LEDチップを透光性を備えたコーティング材で被覆して成る発光ダイオードにおいて、上記コーティング材を無機材料で構成したことを特徴とする発光ダイオード。
IPC (3件)：
H01L 33/00 ,  H01L 23/29 ,  H01L 23/31
FI (2件)：
H01L 33/00 N ,  H01L 23/30 G
Fターム (18件)：
4M109AA01 ,  4M109BA01 ,  4M109CA02 ,  4M109DA02 ,  4M109EC11 ,  4M109GA01 ,  5F041AA11 ,  5F041AA44 ,  5F041CA40 ,  5F041DA18 ,  5F041DA26 ,  5F041DA47 ,  5F041DA58 ,  5F041DA74 ,  5F041DA77 ,  5F041DB01 ,  5F041DC22 ,  5F041EE25
引用特許：
審査官引用 (7件)
  • 半導体発光装置
    公報種別：公開公報   出願番号：特願平11-156793   出願人：サンケン電気株式会社
  • 半導体発光装置
    公報種別：公開公報   出願番号：特願平11-160017   出願人：サンケン電気株式会社
  • 半導体発光装置
    公報種別：公開公報   出願番号：特願平11-296184   出願人：サンケン電気株式会社
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