特許
J-GLOBAL ID:200903028032073899

半導体集積回路

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 山田 義人 (外1名)
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平10-110489
公開番号(公開出願番号):特開平11-307724
出願日: 1998年04月21日
公開日(公表日): 1999年11月05日
要約:
【要約】【構成】 入力保護回路を構成する保護素子がボンディングパッド40aの下方に配置されるので、保護素子とボンディングパッド40aとが重なる部分の面積だけ、入力部12のサイズが縮小される。ワイヤボンディングの際には、キャピラリからボンディングパッド40aへ衝撃が伝わるが、各配線層40,38および36がこの衝撃を吸収するので、配線層36のさらに下方に配置された保護素子へ過大な衝撃が伝わることはない。【効果】 保護素子特性の変動を生じることなくチップを小型化できる。
請求項(抜粋):
基板上にそれぞれ層間絶縁層を介して3層以上の配線層を形成した半導体集積回路において、前記基板に保護回路を構成する保護素子を形成し、前記保護素子と最下配線層とをプラグを介して接続し、最上配線層にボンディングパッドを形成し、前記最下配線層と前記最上配線層とを中間配線層を介して接続したことを特徴とする、半導体集積回路。
IPC (4件):
H01L 27/04 ,  H01L 21/822 ,  H01L 21/60 301 ,  H01L 21/3205
FI (3件):
H01L 27/04 H ,  H01L 21/60 301 N ,  H01L 21/88 T
引用特許:
審査官引用 (4件)
  • 半導体装置
    公報種別:公開公報   出願番号:特願平6-144914   出願人:松下電器産業株式会社
  • 半導体装置
    公報種別:公開公報   出願番号:特願平5-090544   出願人:オリンパス光学工業株式会社
  • 集積回路
    公報種別:公開公報   出願番号:特願平6-200278   出願人:エイ・ティ・アンド・ティ・コーポレーション
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