特許
J-GLOBAL ID：200903028054621903

接続孔の形成方法

発明者：
白岩 利章

白岩 利章 について


出願人/特許権者：
ソニー株式会社

ソニー株式会社 について


代理人 (1件)： 船橋 國則
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-348406
公開番号（公開出願番号）：特開平11-186385
出願日： 1997年12月18日
公開日（公表日）： 1999年07月09日
要約：
【要約】【課題】 シリコンからなる下地上に窒化シリコン膜からなるエッチングストッパを形成して酸化シリコンの層間絶縁膜を形成しても、その層間絶縁膜に接続孔をドライエッチングにより形成する際に、下地が掘られる。【解決手段】 シリコンからなる下地のシリコン基板11上に酸化シリコンからなる層間絶縁膜22を形成する際に、第1のエッチング停止膜21を例えば窒化シリコン膜で形成してから層間絶縁膜22を形成し、その際に、層間絶縁膜22中に少なくとも1層の第2のエッチング停止膜23を例えば窒化シリコン膜で形成し、層間絶縁膜22と第1,第2のエッチング停止膜21,23とをそれぞれ選択的にエッチングすることにより、層間絶縁膜22に接続孔24を形成する。
請求項（抜粋）：
シリコンからなる下地上に酸化シリコンからなる層間絶縁膜を形成する工程と、前記層間絶縁膜に接続孔を前記下地に達する状態に形成する工程とを備えた接続孔の形成方法であって、前記層間絶縁膜を形成する前に、前記下地上に第1のエッチング停止膜を形成する工程と、前記層間絶縁膜を形成する際に、該層間絶縁膜中に少なくとも1層の第2のエッチング停止膜を形成する工程とを備え、前記接続孔をエッチングによって形成する際に、前記層間絶縁膜と前記第1,第2のエッチング停止膜とをそれぞれ選択的にエッチングすることを特徴とする接続孔の形成方法。
IPC (2件)：
H01L 21/768 ,  H01L 21/3065
FI (3件)：
H01L 21/90 C ,  H01L 21/302 J ,  H01L 21/90 K
引用特許：
審査官引用 (7件)
全件表示

前のページに戻る

TOP

BOTTOM