特許
J-GLOBAL ID：200903028088242375

半導体装置、フォトマスクおよび半導体装置の製造方法

発明者：
竹内 雅彦

竹内 雅彦 について

, 
成松 孝一郎

成松 孝一郎 について

, 
上野 敦史

上野 敦史 について


出願人/特許権者：
三菱電機株式会社

三菱電機株式会社 について


代理人 (1件)： 深見 久郎 (外4名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-160017
公開番号（公開出願番号）：特開2001-339049
出願日： 2000年05月30日
公開日（公表日）： 2001年12月07日
要約：
【要約】【課題】 詳細かつ正確な検査用マークの測定を容易に行なうことが可能な半導体装置を提供する。【解決手段】 半導体基板上に形成され、素子形成領域と、この素子形成領域を囲むように配置されたダイシングライン領域とを備える半導体装置であって、ダイシングライン領域では、異なるショットで形成された第1および第2の重ね合わせ検査マーク15が形成され、第1および第2の重ね合わせ検査マーク15は、第1および第2の重ね合わせ検査マークを識別するための補助マーク18を含む。
請求項（抜粋）：
半導体基板上に形成された素子形成領域と、この素子形成領域を囲むように配置されたダイシングライン領域とを備える半導体装置であって、前記ダイシングライン領域では、異なるショットで形成された第1および第2の重ね合せ検査マークが形成され、前記第1および第2の重ね合せ検査マークは、第1および第2の重ね合せ検査マークを識別するための補助マークを含む、半導体装置。
IPC (4件)：
H01L 27/04 ,  H01L 21/822 ,  H01L 21/027 ,  H01L 21/66
FI (4件)：
H01L 21/66 Y ,  H01L 21/66 J ,  H01L 27/04 T ,  H01L 21/30 502 V
Fターム (17件)：
4M106AA02 ,  4M106AA08 ,  4M106AA10 ,  4M106AA11 ,  4M106AA12 ,  4M106AB15 ,  4M106AB16 ,  4M106AB17 ,  4M106AC02 ,  4M106AC05 ,  4M106CA39 ,  4M106CA50 ,  5F038AV06 ,  5F038CA13 ,  5F038DT12 ,  5F038DT20 ,  5F038EZ20
引用特許：
出願人引用 (3件)
  • 半導体集積回路装置
    公報種別：公開公報   出願番号：特願平7-103753   出願人：日本電気アイシーマイコンシステム株式会社
  • マスクの位置ずれ検出用マーク
    公報種別：公開公報   出願番号：特願平9-249345   出願人：沖電気工業株式会社
  • 半導体回路基板
    公報種別：公開公報   出願番号：特願平6-014525   出願人：富士ゼロックス株式会社
審査官引用 (2件)

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