特許
J-GLOBAL ID：200903028089579802
酸化物バルク超電導体
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
萩原 康弘
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-126631
公開番号（公開出願番号）：特開平11-306877
出願日： 1998年04月22日
公開日（公表日）： 1999年11月05日
要約：
【要約】【課題】 REBa2 Cu3 O7-x 型の酸化物超電導単結晶体からなる、円盤あるいは円柱形状の大型バルク超電導体において、バルク体形状以外の要因に起因する表面磁束密度分布の歪曲を抑制する。【解決手段】 断面円の直径が50mmを越える上記大型バルク材において、ほぼ同心円状の表面磁束密度分布形状が実現されるバルク超電導材料の実現により、磁気浮上力等の各種超電導特性が著しく改善される。
請求項（抜粋）：
単結晶状のREBa2 Cu3 O7-x 相(123相)中(REはYを含む希土類元素およびそれらの組み合わせ)に、微細なRE2 BaCuO5 相(211相)が分散した組織からなるバルク体であり、かつ断面の直径が50mm以上70mm未満である円盤あるいは円柱形状を有し、その中心軸方向に123相結晶のc軸([001]軸)が平行な、RE、BaおよびCuの複合酸化物からなる酸化物バルク超電導体において、液体窒素温度下で強磁場印加後に測定した上面あるいは底面いづれかの表面磁束密度分布について、面中心付近の最大磁束密度の0.6倍の磁束密度値に対応する等値曲線と磁束密度最大位置までの距離のうち、面内の[100]あるいは[010]あるいはそれらと等価な123相結晶方向の距離の最小値をtA、また面内の[110]あるいは[-110]あるいはそれらと等価な123相結晶方向の距離の最大値をtBとする場合に、tB/tAが1.1以下であることを特徴とする酸化物バルク超電導体。
IPC (4件)：
H01B 12/02 ZAA
, C01G 1/00
, C01G 3/00 ZAA
, C30B 29/22 501
H01B 12/02 ZAA
, C01G 1/00 S
, C01G 3/00 ZAA
, C30B 29/22 501 A
