特許
J-GLOBAL ID：200903028094471157
半導体装置の製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
中島 淳 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-017249
公開番号（公開出願番号）：特開平11-214401
出願日： 1998年01月29日
公開日（公表日）： 1999年08月06日
要約：
【要約】【課題】 ベース層での不純物の拡散に影響をあたえるような高温での熱処理が不要で、かつエミッタ抵抗を低くすることができる半導体装置の製造方法を提供する。【解決手段】 化学気相成長法により第3の絶縁膜(窒化シリコン)からなるサイドウォール32の下端に到達するようにベース層34を形成し、次いでエミッタ領域となる半導体層(第1導電型の不純物を含むシリコン層)38を形成するように同一の化学気相成長炉内でベース層34と第1導電型の不純物を含むシリコン層38とを連続的に成長させる。
請求項（抜粋）：
半導体基板上に第1導電型のシリコン層を形成し、更に該第1導電型のシリコン層上に第1の絶縁膜を形成する第1の工程と、前記第1の絶縁膜上に第1導電型と異なる第2導電型の不純物を含む多結晶シリコン層を形成する第2の工程と、前記多結晶シリコン層上に第2の絶縁膜を形成する第3の工程と、第2の絶縁膜と多結晶シリコン層の一部を前記第1の絶縁膜の表面が露出するまで除去し開口部を形成する第4の工程と、前記開口部の側壁に第3の絶縁膜からなるサイドウォールを形成する第5の工程と、開口部底部の第1の絶縁膜を前記第1導電型のシリコン層の表面が露出するまで除去し、かつ開口部の端部より所定長、前記第1導電型のシリコン層の表面に沿って後退させるように除去することにより多結晶シリコン層からなるひさし部分を形成する第6の工程と、露出した第1導電型のシリコン層上に、第2導電型の不純物を少なくともその一部に含む半導体層を選択的に成長させ、それと同時に前記多結晶シリコンのひさし部分から多結晶半導体層を成長させる第7の工程と、前記第2導電型の不純物を少なくともその一部に含む半導体層上に、高濃度の第1導電型の不純物を含むシリコン層を成長する第8の工程と、を含み、前記第7及び第8の工程を同一炉内で連続的に行うと共に、前記第7の工程において、前記第2導電型の不純物を少なくともその一部に含む半導体層の成長中に、その表面が前記第3の絶縁膜からなるサイドウォ一ルの下端に達するように前記半導体層を成長させることを特徴とする半導体装置の製造方法。
IPC (3件)：
H01L 21/331
, H01L 29/73
, H01L 29/165
