特許
J-GLOBAL ID：200903011885226288
半導体レーザ装置
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
小川 勝男 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-327141
公開番号（公開出願番号）：特開2002-134842
出願日： 2000年10月26日
公開日（公表日）： 2002年05月10日
要約：
【要約】【課題】 広い温度範囲にわたり高速変調性能を備えるような半導体レーザ装置を実現する。【解決手段】 本発明の代表的な形態は、半導体レーザの活性層領域をInGaAlAs材料あるいはInGaAs系の多重量子井戸構造とし、障壁層の組成波長を950nm未満とする。更に別な形態は、同材料系の多重量子井戸を活性層とそれに接する光ガイド層をもつ構造において、障壁層の組成波長を1200nm未満とし、光ガイド層の組成波長を障壁層と実質的に同じまたは短いものとする。
請求項（抜粋）：
InGaAs及びInGaAlAsの群から選ばれた少なくとも1者を有してなる井戸層とInGaAlAs及びInAlAsの群から選ばれた少なくとも1者を有してなる障壁層によって構成された多重量子井戸構造を活性層領域とし、発振波長が1.2μm以上であり、且つ前記障壁層の25°Cにおける組成波長が950nm未満であることを特徴とする半導体レーザ装置。
IPC (3件)：
H01S 5/343
, H01S 5/223
, H01S 5/227
H01S 5/343
, H01S 5/223
, H01S 5/227
5F073AA11
, 5F073AA13
, 5F073AA22
, 5F073AA45
, 5F073AA64
, 5F073AA65
, 5F073AA74
, 5F073BA02
, 5F073BA09
, 5F073CA15
, 5F073DA35
, 5F073EA14
, 5F073EA23
