特許
J-GLOBAL ID：200903077120079989
半導体電界吸収型光変調器、半導体電界吸収型光変調器集積レーザ、光送信モジュール、および光送受信モジュール
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
筒井 大和
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-173450
公開番号（公開出願番号）：特開2005-352219
出願日： 2004年06月11日
公開日（公表日）： 2005年12月22日
要約：
【課題】 EA変調器の温度を一定に保つ制御機構が不要で、かつ動作温度に関わらずに安定したACERを実現するEA変調器を使用した光送信モジュール、光送受信モジュールを提供する。【解決手段】 基板上に形成された多層膜により光導波路が形成され、この光導波路へ基板に垂直な方向に電気信号を印加し、入力された光の吸収量を変化させて、出力する光の量を制御する構造のEA変調器であって、各々が電気的に分離され、活性層光導波路111,112の光軸上に配列され、活性層光導波路111,112に電気信号を印加する複数のp側電極108,109を有し、温度に応じて電気信号を印加するp側電極108,109の電極数を増減させることで、電気信号が印加される光導波路領域の長さが変化する構造からなる。【選択図】 図1
請求項（抜粋）：
基板上に形成された多層膜により光導波路が形成され、前記光導波路へ前記基板に垂直な方向に電気信号を印加し、入力された光の吸収量を変化させて、出力する光の量を制御する半導体電界吸収型光変調器であって、
各々が電気的に分離され、前記光導波路の光軸上に配列され、前記光導波路に電気信号を印加する複数の電極を有し、
温度に応じて電気信号を印加する前記複数の電極の電極数を増減させることで、電気信号が印加される光導波路領域の長さが変化する構造からなることを特徴とする半導体電界吸収型光変調器。
IPC (3件)：
G02F1/017
, H01S5/022
, H01S5/026
G02F1/017 503
, H01S5/022
, H01S5/026 616
2H079AA02
, 2H079AA13
, 2H079BA01
, 2H079CA04
, 2H079DA16
, 2H079EA07
, 2H079EB05
, 2H079EB15
, 2H079HA23
, 5F173AA23
, 5F173AA26
, 5F173AA47
, 5F173AB13
, 5F173AD14
, 5F173AH14
, 5F173AJ23
, 5F173AK21
, 5F173AP13
, 5F173AP16
, 5F173AR13
, 5F173AR71
, 5F173MA02
