特許
J-GLOBAL ID：200903028147398864
炭素質被膜の形成方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (5件)：
青木 篤
, 石田 敬
, 古賀 哲次
, 永坂 友康
, 亀松 宏
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2006-188413
公開番号（公開出願番号）：特開2008-013832
出願日： 2006年07月07日
公開日（公表日）： 2008年01月24日
要約：
【課題】フラーレンを原料として用い、摩擦係数0.1以下で実用的な面積を持つ超低摩擦表面を実現できる炭素質皮膜の形成方法を提供する。【解決手段】フラーレンを原料とし、クラスタイオンビーム法または分子線エピタキシー法により、基板上にフラーレンから成る炭素質皮膜を形成する。基板上に形成される炭素質皮膜は典型的にはフラーレンC60から成る。皮膜形成に用いる基板として高配向性グラファイト(HOPG)が望ましい。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
フラーレンを原料とし、クラスタイオンビーム法または分子線エピタキシー法により、基板上にフラーレンから成る炭素質皮膜を形成することを特徴とする炭素質皮膜の形成方法。
IPC (2件)：
FI (2件)：
C23C14/06 F
, C01B31/02 101F
4G146AA08
, 4G146AA09
, 4G146AB07
, 4G146AD05
, 4G146AD40
, 4G146CB17
, 4K029AA04
, 4K029BA34
, 4K029CA01
, 4K029CA03
, 4K029DB02
, 4K029DD03
