特許
J-GLOBAL ID:200903028171372272

弾性表面波装置の製造方法

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 京本 直樹 (外2名)
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平7-005876
公開番号(公開出願番号):特開平8-195635
出願日: 1995年01月18日
公開日(公表日): 1996年07月30日
要約:
【要約】【目的】 弾性表面波装置の製造プロセスにおいて、耐電力性の高い電極膜を形成する上で必要な、弾性表面波素子基板の表面処理法を提供する。【構成】 基板表面処理として、弾性表面波素子基板1の基板表面変質層2のエッチング除去をフッ酸溶液ないしはアルカリ溶液4によってケミカルエッチングを行う。このとき、エッチング前後において、前処理として、イオン3を照射することによって基板表面層にイオンインプランテーションを行い、後処理としては、酸素ラジカルビーム5によって、基板表面への酸化を行う。
請求項(抜粋):
ニオブ酸リチウムおよびタンタル酸リチウム単結晶基板上に単結晶のAlあるいはAl系合金電極を形成することよりなる弾性表面波装置の製造方法において、単結晶のAlあるいはAl系合金電極を形成する前に、イオンインプランテーション工程、ケミカルエッチング工程、酸化処理工程を順次行うことより成る該単結晶基板の表面変質層除去工程を備えたことを特徴とする弾性表面波装置の製造方法。
IPC (2件):
H03H 3/08 ,  H01L 21/308
引用特許:
審査官引用 (9件)
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