結晶成長方法および結晶成長装置およびIII族窒化物結晶およびIII族窒化物半導体デバイス

発明者： , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：植本雅治
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-318723
公開番号（公開出願番号）：特開2002-128586
出願日： 2000年10月19日
公開日（公表日）： 2002年05月09日
要約：

【要約】【課題】工程を複雑化させることなく、高価な反応容器を用いることなく、かつ、結晶の大きさが小さくなることなく、高性能の発光ダイオードやLD等のデバイスを作製するための実用的な大きさのIII族窒化物結晶を提供し、また、このようなIII族窒化物結晶を成長させることの可能な結晶成長方法および結晶成長装置を提供する。【解決手段】第1の反応容器101内で、アルカリ金属と少なくともIII族金属を含む混合融液102と第1の反応容器101の外部から導入される窒素原料とを用いて、III族窒化物結晶を成長させるときに、アルカリ金属蒸気を第1の反応容器101内に閉じ込める。

請求項（抜粋）：

第1の反応容器内で、アルカリ金属と少なくともIII族金属を含む混合融液と第1の反応容器の外部から導入される窒素原料とを用いて、III族窒化物結晶を成長させるときに、アルカリ金属蒸気を第1の反応容器内に閉じ込めることを特徴とする結晶成長方法。

IPC (4件)：

C30B 9/12 , C30B 29/38 , H01L 33/00 , H01S 5/343

FI (4件)：

C30B 9/12 , C30B 29/38 D , H01L 33/00 C , H01S 5/343

Fターム (27件)：

4G077AA02 , 4G077BE15 , 4G077CC01 , 4G077EA06 , 4G077EC08 , 4G077EG21 , 4G077HA02 , 4G077LA01 , 4G077LA03 , 4G077LA05 , 5F041AA40 , 5F041CA05 , 5F041CA34 , 5F041CA40 , 5F041CA65 , 5F041CA66 , 5F041CA82 , 5F041CA92 , 5F041CB05 , 5F073AA11 , 5F073AA13 , 5F073AA45 , 5F073AA74 , 5F073CA07 , 5F073DA02 , 5F073DA05 , 5F073DA06

引用特許：

審査官引用 (1件)

窒化物単結晶製造方法及び製造装置
公報種別：公開公報出願番号：特願2000-261669 出願人：株式会社神戸製鋼所, 佐々木孝友, 森勇介, 吉村政志

引用文献：

審査官引用 (1件)

窒素50気圧750°CにおけるNaフラックス法によるGaNバルク単結晶成長

前のページに戻る