特許

J-GLOBAL ID：200903028634702277

窒化物単結晶製造方法及び製造装置

発明者： 上原 一浩 ,  佐々木 孝友 ,  森 勇介 ,  吉村 政志
出願人/特許権者： 株式会社神戸製鋼所 ,  佐々木 孝友 ,  森 勇介 ,  吉村 政志
代理人 (1件)： 安田 敏雄
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-261669
公開番号（公開出願番号）：特開2002-068896
出願日： 2000年08月30日
公開日（公表日）： 2002年03月08日
要約：

【要約】【課題】 核発生の制御を可能とし、比較的低温、低圧下において、高品質で大きなバルク状窒化物単結晶を得るための製造方法と製造装置を提供する。【解決手段】 窒化物単結晶成長原料中に種結晶を位置させ、前記種結晶を局所的に加熱して結晶成長を行う。特に、窒化物単結晶成長原料を結晶が殆ど成長しない低温度下に維持しておき、種結晶を局所的に加熱して前記種結晶近傍の前記成長原料を結晶成長可能な高温度下に維持して結晶成長を行うことがより好ましい。

請求項（抜粋）：

窒化物単結晶成長原料中で種結晶を保持し、前記種結晶を局所的に加熱して結晶成長を行うことを特徴とする窒化物単結晶製造方法。

IPC (2件)：

C30B 29/38 ,  C30B 15/00

FI (2件)：

C30B 29/38 D ,  C30B 15/00 P

Fターム (7件)：

4G077AA02 ,  4G077BE15 ,  4G077CF10 ,  4G077EA02 ,  4G077EA04 ,  4G077EG20 ,  4G077HA12

引用特許：

審査官引用 (2件)

• 窒化物結晶の成長方法およびGaN結晶の成長方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平9-221628   出願人：日立電線株式会社
• III-V族窒化物基板ボウル、並びにIII-V族窒化物基板ボウル製造法及び使用法
  公報種別：公表公報   出願番号：特願2001-567830   出願人：アドバンスド.テクノロジー.マテリアルス.インコーポレイテッド