特許

J-GLOBAL ID：200903028329408865

電極膜、圧電素子、強誘電体キャパシタ及び半導体装置

発明者： 大橋 幸司 ,  木島 健 ,  青山 拓
出願人/特許権者： セイコーエプソン株式会社
代理人 (2件)： 布施 行夫 ,  大渕 美千栄
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-291345
公開番号（公開出願番号）：特開2006-108290
出願日： 2004年10月04日
公開日（公表日）： 2006年04月20日
要約：

【課題】 良好な強誘電体特性が得られる電極膜、圧電素子、強誘電体キャパシタ及び半導体装置を提供することにある。【解決手段】 電極膜は、基体の上方に形成される白金族金属を含み、CuKα線を用いたθ-2θ法によるX線回折において求められるピークに対応する回折角2θが、電極膜の熱処理後のピークに対応する回折角以上の大きさである。【選択図】 図1

請求項（抜粋）：

基体の上方に形成される白金族金属を含む電極膜であって、 CuKα線を用いたθ-2θ法によるX線回折において求められるピークに対応する回折角2θは、前記電極膜の熱処理後のピークに対応する回折角以上の大きさである、電極膜。

IPC (6件)：

H01L 21/28 ,  H01L 27/10 ,  H01L 27/105 ,  H01L 21/824 ,  H01L 41/09 ,  H01L 41/187

FI (6件)：

H01L21/28 301R ,  H01L27/10 481 ,  H01L27/10 444C ,  H01L41/08 J ,  H01L41/18 101D ,  H01L27/10 444Z

Fターム (36件)：

4K029AA06 ,  4K029AA24 ,  4K029BA02 ,  4K029BA13 ,  4K029BA48 ,  4K029BB02 ,  4K029BB07 ,  4K029BC03 ,  4K029BD00 ,  4K029BD02 ,  4K029CA01 ,  4K029CA05 ,  4K029EA03 ,  4K029EA08 ,  4K029GA01 ,  4M104AA01 ,  4M104AA02 ,  4M104AA05 ,  4M104AA06 ,  4M104AA10 ,  4M104BB04 ,  4M104BB06 ,  4M104DD34 ,  4M104DD37 ,  4M104GG20 ,  5F083FR01 ,  5F083GA25 ,  5F083HA06 ,  5F083JA14 ,  5F083JA15 ,  5F083JA38 ,  5F083JA43 ,  5F083LA03 ,  5F083LA04 ,  5F083LA05 ,  5F083LA07

引用特許：

出願人引用 (5件)

• 特願平9-531645号公報
  
• 特願2000-571496号公報
  
• 半導体装置およびその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2001-254696   出願人：ローム株式会社
• 半導体装置およびその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2001-239711   出願人：株式会社日立製作所
• 薄膜キャパシタ
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平7-284554   出願人：株式会社リコー

審査官引用 (1件)

• 特開平4-005874