特許
J-GLOBAL ID：200903028358120331
磁気記憶装置
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
鈴江 武彦 (外6名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-093091
公開番号（公開出願番号）：特開2003-298019
出願日： 2002年03月28日
公開日（公表日）： 2003年10月17日
要約：
【要約】【課題】微細化に適した筒型TMR素子を具備する書き込み/読み出しマージンの大きい高集積化された磁気記憶装置を提供する。【解決手段】筒型に形成された磁気固定層と、筒型をなす磁気固定層の外部表面又は内部表面のいずれかを覆うように形成されたトンネル絶縁膜と、トンネル絶縁膜を介して磁気固定層に対向しトンネル絶縁膜の表面を覆うように形成された磁気自由層とを含み、かつ、磁気固定層の磁化の方向が筒型の中心軸方向に対して並行な磁気抵抗素子を具備する磁気記憶装置を提供する。
請求項（抜粋）：
筒状に形成された磁気固定層と、前記筒状をなす磁気固定層の外部表面又は内部表面のいずれかを覆うように形成された絶縁膜と、前記絶縁膜を介して前記磁気固定層と対向し前記絶縁膜の表面を覆うように形成された磁気自由層とを含み、かつ、前記磁気固定層の磁化の方向が前記筒状の中心軸方向に対して並行であることを特徴とする磁気抵抗素子を具備する磁気記憶装置。
IPC (6件)：
H01L 27/105
, G11C 11/15 110
, G11C 11/15 120
, G11C 11/15 130
, H01L 43/08
, H01L 43/12
G11C 11/15 110
, G11C 11/15 120
, G11C 11/15 130
, H01L 43/08 P
, H01L 43/08 Z
, H01L 43/12
, H01L 27/10 447
5F083FZ10
, 5F083GA09
, 5F083GA10
, 5F083GA15
, 5F083KA01
, 5F083KA05
