プラズマ処理装置における炭素原子ラジカル測定用炭素原子光発生装置

発明者： , , , ,
出願人/特許権者： ,
代理人 (1件)：伊藤研一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-295513
公開番号（公開出願番号）：特開2000-124199
出願日： 1998年10月16日
公開日（公表日）： 2000年04月28日
要約：

【要約】【課題】プラズマ発生を安定化させて炭素原子光の発光強度を均一化させることができるプラズマ処理装置における炭素原子ラジカル測定用炭素原子光発生装置の提供。【解決手段】少なくとも内面が電気的に絶縁され、一方の開口に光学的窓が気密状態に設けられると共に他方の開口が気密に閉止されたケースにガス導入口及び排気装置に接続される排気口を設ける。該ケース内に中心部に透孔が形成されたリング状の陽電極を、電気的絶縁状態で光学的窓に対して所要の間隔をおいて設ける。ケース内に陽電極への相対面中心部に所定の内径及び深さの穴が形成されると共に陽電極に対する非相対面が電気的に絶縁された陰電極を電気的絶縁状態で設ける。ガス導入口から炭素分子を含有した発光ガスを導入しながら排気口から排気してケース内を所要の圧力にした状態で陽電極及び陰電極間に直流電流を引加して陰電極の穴内にてプラズマ化した炭素分子を解離発光させて炭素原子光を発生させる。

請求項（抜粋）：

少なくとも内面が電気的に絶縁され、一方の開口に光学的窓が気密状態に設けられると共に他方の開口が気密に閉止され、ガス導入口及び排気装置に接続される排気口が設けられたケースと、該ケース内にて電気的絶縁状態で所定の間隔をおいて相対して設けられ、中心部に透孔が形成されたリング状の陽電極と、ケース内にて電気的絶縁状態で設けられ、陽電極への相対面中心部に所定の内径及び深さの孔が形成されると共に陽電極に対する非相対面が電気的に絶縁された炭素原子を含有した陰電極とからなり、ケース内を炭素原子を含有したガスと酸素ガス及び稀ガスの混合ガスを所定の分圧に設定して陽電極及び陰電極間に直流電流を印加して陰電極の孔内表面を荷電粒子でスバッタ或いは反応性スバッタさせて陰電極孔内プラズマに炭素原子ラジカルを生じさせて炭素原子光を発生させることを特徴とするプラズマ処理装置における炭素原子ラジカル測定用の炭素原子光発生装置。

IPC (6件)：

H01L 21/3065 , B01J 19/08 , C23C 16/26 , G01N 21/63 , H01L 21/205 , H05H 1/00

FI (6件)：

H01L 21/302 E , B01J 19/08 H , C23C 16/26 , G01N 21/63 Z , H01L 21/205 , H05H 1/00 A

Fターム (70件)：

2G043AA01 , 2G043BA07 , 2G043CA02 , 2G043DA08 , 2G043EA09 , 2G043GA06 , 2G043GA07 , 2G043GB01 , 2G043GB10 , 2G043GB17 , 2G043KA05 , 2G043LA01 , 4G075AA24 , 4G075AA30 , 4G075AA65 , 4G075BC02 , 4G075BC06 , 4G075CA25 , 4G075CA39 , 4G075CA47 , 4G075EB32 , 4G075EC21 , 4G075FA01 , 4G075FB02 , 4G075FB03 , 4G075FB06 , 4G075FB12 , 4G075FC15 , 4K030AA04 , 4K030AA10 , 4K030AA14 , 4K030AA24 , 4K030BA27 , 4K030BA37 , 4K030FA01 , 4K030JA09 , 4K030KA15 , 4K030KA30 , 4K030KA37 , 4K030KA39 , 4K030KA46 , 4K030KA47 , 5F004AA00 , 5F004BA20 , 5F004BB11 , 5F004BB13 , 5F004BB14 , 5F004BB18 , 5F004BB22 , 5F004BB25 , 5F004BB26 , 5F004CB02 , 5F004DA00 , 5F004DA23 , 5F004DA26 , 5F045AA08 , 5F045AA09 , 5F045AB06 , 5F045AB07 , 5F045DP01 , 5F045DP02 , 5F045DP03 , 5F045DQ10 , 5F045EH02 , 5F045EH11 , 5F045EJ02 , 5F045EJ03 , 5F045EK01 , 5F045EM05 , 5F045GB08

引用特許：

審査官引用 (2件)

炭素原子による成膜及びエッチング処理方法及びその装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平8-257617 出願人：後藤俊夫, 日本レーザ電子株式会社
原子状ラジカル測定方法及び装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平10-295504 出願人：後藤俊夫, 日本レーザ電子株式会社

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