特許
J-GLOBAL ID:200903028470112562

光起電装置の製造方法、光起電装置を製造するシステム及び光起電装置

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (2件): 吉田 研二 ,  石田 純
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2007-009775
公開番号(公開出願番号):特開2007-194636
出願日: 2007年01月19日
公開日(公表日): 2007年08月02日
要約:
【課題】製造コストと複雑さを低減すると同時に、最終的に得られる光起電装置の動作効率を改善する光起電装置を製造するための方法を提供する。【解決手段】光起電装置の製造方法であって、前記光起電装置は、半導体ウェハと、前記半導体ウェハの表面に形成されたひとつまたはそれ以上のドープ領域と、前記半導体ウェハの前記表面上に配置され、前記ひとつまたはそれ以上のドープ領域に接触する複数の導電線とを備え、前記半導体ウェハの前記表面上に全面パシベーション層を形成するステップと、非接触パターニング装置を用いて、前記パシベーション層に複数の開口部を画定し、これによって前記開口部の各々が前記半導体ウェハの前記表面上の前記ひとつまたはそれ以上の領域のうちの対応するひとつを露出するようにするステップと、直接描画金属配線装置を用いて、前記導電線のコンタクト部を前記複数の開口部の各々の中に実装するステップと、を含む。【選択図】図1
請求項(抜粋):
光起電装置の製造方法であって、前記光起電装置は、半導体ウェハと、前記半導体ウェハの表面に形成されたひとつまたはそれ以上のドープ領域と、前記半導体ウェハの前記表面上に配置され、前記ひとつまたはそれ以上のドープ領域に接触する複数の導電線とを備え、 前記半導体ウェハの前記表面上に全面パシベーション層を形成するステップと、 非接触パターニング装置を用いて、前記パシベーション層に複数の開口部を画定し、これによって前記開口部の各々が前記半導体ウェハの前記表面上の前記ひとつまたはそれ以上の領域のうちの対応するひとつを露出するようにするステップと、 直接描画金属配線装置を用いて、前記導電線のコンタクト部を前記複数の開口部の各々の中に実装するステップと、 を含むことを特徴とする光起電装置の製造方法。
IPC (1件):
H01L 31/042
FI (1件):
H01L31/04 C
Fターム (9件):
5F051AA02 ,  5F051AA03 ,  5F051BA14 ,  5F051CB20 ,  5F051CB22 ,  5F051CB27 ,  5F051CB30 ,  5F051FA06 ,  5F051GA04
引用特許:
出願人引用 (2件)
  • 米国特許第6623579号明細書
  • 米国特許第6590235号明細書
審査官引用 (10件)
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