有機EL表示装置

発明者： , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：秋田収喜
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-032511
公開番号（公開出願番号）：特開2004-247058
出願日： 2003年02月10日
公開日（公表日）： 2004年09月02日
要約：

【課題】有機EL層の発光特性の劣化を抑制する。【解決手段】基板の表面に並設された複数のゲート信号線とこれらゲート信号線に交差して並設された複数のドレイン信号線が形成され、これら各信号線に囲まれた領域を画素領域とし、各画素領域には、ゲート信号線からの走査信号によって動作する薄膜トランジスタと、この薄膜トランジスタを介してドレイン信号線からの映像信号が供給される画素電極と、前記映像信号に対して基準となる対向電極と、前記画素電極と対向電極との間に挟持されて形成される有機EL層とを備え、少なくとも前記各信号線を被い前記画素電極を露出させて形成されたバンク膜が形成されているとともに、該画素電極の上方に形成される前記有機EL層は前記バンク膜に接触せずに形成されている。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

基板の表面に並設された複数のゲート信号線とこれらゲート信号線に交差して並設された複数のドレイン信号線が形成され、これら各信号線に囲まれた領域を画素領域とし、各画素領域には、ゲート信号線からの走査信号によって動作する薄膜トランジスタと、この薄膜トランジスタを介してドレイン信号線からの映像信号が供給される画素電極と、前記映像信号に対して基準となる対向電極と、前記画素電極と対向電極との間に挟持されて形成される有機EL層とを備え、少なくとも前記各信号線を被い前記画素電極を露出させて形成されたバンク膜が形成されているとともに、該画素電極の上方に形成される前記有機EL層は前記バンク膜に接触せずに形成されていることを特徴とする有機EL表示装置。

IPC (1件)：

H05B33/14

FI (1件)：

H05B33/14 A

Fターム (3件)：

3K007AB11 , 3K007DB03 , 3K007FA01

引用特許：

審査官引用 (6件)

成膜装置及び成膜方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2001-323018 出願人：株式会社半導体エネルギー研究所
メタルマスク
公報種別：公開公報出願番号：特願2002-191721 出願人：日立金属株式会社
有機LED素子とその製造方法および有機LEDディスプレイ
公報種別：公開公報出願番号：特願2000-170790 出願人：シャープ株式会社

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