特許
J-GLOBAL ID：200903029441790655

発光装置

発明者：
山崎 舜平

山崎 舜平 について

, 
荒井 康行

荒井 康行 について


出願人/特許権者：
株式会社半導体エネルギー研究所

株式会社半導体エネルギー研究所 について


公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-345439
公開番号（公開出願番号）：特開2002-208477
出願日： 2001年11月09日
公開日（公表日）： 2002年07月26日
要約：
【要約】【課題】画素部は熱応力が加えられることになり、画素部を形成する各層に熱応力が働き、その力が大きいとクラック(ひび割れ)が発生するという不良をもたらす。本発明は、このような応力を緩和することが可能な画素構造を提供することを目的とする。【解決手段】アクティブマトリクス駆動方式の発光装置において、薄膜トランジスタの上層には、窒化珪素または酸化窒化珪素から成る第3絶縁層と、前記第3絶縁層上と炭素を主成分とする第4絶縁層との間に、陽極と、有機化合物から成る層と、アルカリ金属を含む陰極とを有する発光素子が形成され、当該発光素子は、絶縁材料から成る逆テーパー状の隔壁層の間に形成する。
請求項（抜粋）：
窒化珪素または酸化窒化珪素から成る第1絶縁層と、酸化窒化珪素から成る第2絶縁層との間に、珪素を主成分とする半導体層と、ゲート絶縁膜と、ゲート電極とを有する薄膜トランジスタが形成され、前記薄膜トランジスタの上層には、窒化珪素または酸化窒化珪素から成る第3絶縁層と、炭素を主成分とする第4絶縁層と、前記第3絶縁層と第4絶縁層との間に、陽極と、有機化合物層と、アルカリ金属を含む陰極とを有する発光素子が形成され、当該発光素子は、絶縁材料から成る隔壁層の間に形成されていることを特徴とする発光装置。
IPC (6件)：
H05B 33/04 ,  G09F 9/30 338 ,  G09F 9/30 365 ,  H05B 33/10 ,  H05B 33/14 ,  H05B 33/22
FI (6件)：
H05B 33/04 ,  G09F 9/30 338 ,  G09F 9/30 365 Z ,  H05B 33/10 ,  H05B 33/14 A ,  H05B 33/22 Z
Fターム (30件)：
3K007AB11 ,  3K007AB18 ,  3K007BA06 ,  3K007BB05 ,  3K007BB07 ,  3K007CB01 ,  3K007DA01 ,  3K007DB03 ,  3K007EA00 ,  3K007EB00 ,  5C094AA31 ,  5C094AA33 ,  5C094AA38 ,  5C094AA43 ,  5C094BA03 ,  5C094BA27 ,  5C094CA19 ,  5C094DA09 ,  5C094DA13 ,  5C094EA04 ,  5C094EA05 ,  5C094EB02 ,  5C094FA02 ,  5C094FB01 ,  5C094FB02 ,  5C094FB12 ,  5C094FB14 ,  5C094FB15 ,  5C094FB20 ,  5C094GB10
引用特許：
審査官引用 (19件)
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