荷電ビームによる加工方法およびその加工システム並びに荷電ビームによる観察方法およびその観察システム

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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：高橋明夫 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-075657
公開番号（公開出願番号）：特開平11-274044
出願日： 1998年03月24日
公開日（公表日）： 1999年10月08日
要約：

【要約】 (修正有)【課題】層間絶縁膜を有する多層の配線層を有する半導体装置に対して、層間絶縁膜の下層を加工対象としてFIB等の荷電粒子ビームによる微細な加工を高精度に行って不良解析、補修、特性評価等を実現する。【解決手段】多層の配線層からなる半導体装置の保護膜面に、光及び荷電粒子を用いて観察可能な基準マーク11を荷電粒子ビームの照射位置1の近傍に付与する基準マーク付与工程と、基準マークと加工位置とを含む光学画像を光学顕微鏡によって撮像し、基準マークと荷電粒子ビームの加工位置との相対距離を測定する光学測定工程と、基準マークに荷電粒子ビームを照射して2次荷電粒子画像を検出し、この画像に対して、基準マークと荷電粒子ビームの加工位置との相対距離に基いて荷電粒子ビームの照射領域を特定し、荷電粒子ビームを照射して加工を施す加工工程とを有する。

請求項（抜粋）：

試料の最上面に、光および荷電粒子を用いて観察可能な基準マークを荷電ビームの加工位置の近傍に付与する基準マーク付与工程と、該基準マーク付与工程で付与された試料の最上面における基準マークと前記荷電ビームの加工位置とを含む光学画像を光学顕微鏡によって撮像し、該撮像された光学画像に基づいて基準マークと荷電ビームの加工位置との相対距離を測定する光学測定工程と、前記基準マーク付与工程で付与された試料の最上面における基準マークに荷電ビームを照射して前記基準マークの2次荷電粒子画像を検出し、該検出される基準マークの2次荷電粒子画像に対して、前記光学測定工程で測定された基準マークと荷電ビームの加工位置との相対距離に基いて荷電ビームの照射領域を特定し、該特定された照射領域に荷電ビームを照射して加工を施す加工工程とを有することを特徴とする荷電ビームによる加工方法。

IPC (5件)：

H01L 21/027 , H01J 37/22 502 , H01J 37/22 , H01J 37/30 , H01L 21/3065

FI (6件)：

H01L 21/30 541 K , H01J 37/22 502 H , H01J 37/22 502 L , H01J 37/30 Z , H01L 21/30 502 M , H01L 21/302 D

引用特許：

審査官引用 (4件)

光学的顕微鏡を有する荷電粒子ビームシステム
公報種別：公開公報出願番号：特願平9-344985 出願人：シュルンベルジェテクノロジーズ,インコーポレイテッド
荷電粒子線照射方法および装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平7-209122 出願人：株式会社日立製作所, 日立超エル・エス・アイ・エンジニアリング株式会社
集束イオンビーム加工装置の加工方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平8-292023 出願人：セイコー電子工業株式会社

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