特許
J-GLOBAL ID:200903028548276982

太陽電池の製法

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 西藤 征彦
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平11-363379
公開番号(公開出願番号):特開2001-177128
出願日: 1999年12月21日
公開日(公表日): 2001年06月29日
要約:
【要約】【課題】浅い拡散層と深い拡散層を、同一拡散条件のもとで同時に形成することにより、高性能の太陽電池を低コストで製造する方法を提供する。【解決手段】基板10に、形成すべき表面電極18の形成予定部分が切欠き12になった酸化膜層11を形成し、この酸化膜層11付の基板10に拡散処理を施すことにより、上記切欠き12部分の基板表層部に濃く深い拡散層13を形成し、酸化膜層11が形成されている部分の基板表層部に薄く浅い拡散層14を形成する。そして、上記酸化膜層11を除去するようにした。
請求項(抜粋):
形成すべき表面電極の形成予定部分以外の表面部分に酸化膜層が形成された半導体基板を準備する工程と、上記部分的に酸化膜層が形成された半導体基板に拡散処理を施すことにより、酸化膜層が形成されていない部分の基板表層部に、キャリア濃度が高く深さの深い拡散層を形成し、酸化膜層が形成されている部分の基板表層部に、キャリア濃度が低く深さの浅い拡散層を形成する工程と、上記酸化膜層を除去する工程と、上記キャリア濃度が高く深さの深い拡散層が形成された基板部分の上に表面電極を形成する工程とを備えたことを特徴とする太陽電池の製法。
Fターム (8件):
5F051AA02 ,  5F051CB18 ,  5F051CB20 ,  5F051CB24 ,  5F051DA03 ,  5F051FA13 ,  5F051GA04 ,  5F051GA06
引用特許:
審査官引用 (6件)
  • 光電変換素子の製造方法
    公報種別:公開公報   出願番号:特願平5-033414   出願人:シャープ株式会社
  • 太陽電池
    公報種別:公開公報   出願番号:特願平7-014615   出願人:トヨタ自動車株式会社
  • 太陽電池の製造方法
    公報種別:公開公報   出願番号:特願平5-297831   出願人:京セラ株式会社
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