特許
J-GLOBAL ID：200903058366366478
窒化ガリウム系半導体発光素子およびその製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
梅田 勝
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-105515
公開番号（公開出願番号）：特開平10-303459
出願日： 1997年04月23日
公開日（公表日）： 1998年11月13日
要約：
【要約】【課題】 面内分布が小さく、かつ、良好な発光特性を有する窒化ガリウム系半導体発光素子およびその製造方法を提供する。【解決手段】 気相成長法により、窒化物半導体からなるクラッド層及び/又はガイド層に挟まれた、少なくともインジウムとガリウムを含む窒化物半導体からなる量子井戸構造活性層を形成する際の基板の厚さを、5μm以上50μm以下とする。
請求項（抜粋）：
気相成長法により、窒化物半導体からなるクラッド層及び/又はガイド層に挟まれた、少なくともインジウムとガリウムを含む窒化物半導体からなる量子井戸構造活性層を形成する際の窒化ガリウム基板の厚さを、5μm以上50μm以下とすることを特徴とする窒化ガリウム系半導体発光素子の製造方法。
IPC (2件)：
FI (2件)：
引用特許：
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