特許
J-GLOBAL ID：200903028580082340

多層配線基板及びその製造方法

発明者：
田崎 耕司

田崎 耕司 について

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渡辺 伊津夫

渡辺 伊津夫 について

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林田 哲哉

林田 哲哉 について


出願人/特許権者：
日立化成工業株式会社

日立化成工業株式会社 について


代理人 (1件)： 若林 邦彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-112394
公開番号（公開出願番号）：特開平10-303561
出願日： 1997年04月30日
公開日（公表日）： 1998年11月13日
要約：
【要約】【課題】 高密度に層間接続及び配線が簡素な工程で形成でき、安定した接続信頼性が得られる多層配線基板及びその製造方法を提供する。【解決手段】 ベースとなる配線基板にビルドアップ方式で配線形成を行う際に、ベース基板側配線板と、その上層に形成するビルドアップ配線及びその支持体を、配線層が向かい合うように位置決めし、接着剤を介して積層一体化する。その際に双方の配線層に設けた、所定の接続を行うための端子のうち、少なくとも一方の配線層において接続用端子を同層の配線より高く形成しておくことで、配線間の絶縁性を保持したまま接続端子間のみで電気的接続が得られ、ビルドアップ方式の多層化が可能となる。
請求項（抜粋）：
配線及び前記配線より大きな高さを持つ層間接続用端子が形成された基板と、前記基板の層間接続用端子に対応した層間接続用端子及び配線が形成された導体層とが、前記基板の層間接続用端子と前記導体層の層間接続用端子を対向させて接着剤を介して積層一体化されている共に、前記層間接続用端子間を電気的に導通していることを特徴とする多層配線基板。
IPC (2件)：
H05K 3/46 ,  H05K 3/32
FI (4件)：
H05K 3/46 N ,  H05K 3/46 G ,  H05K 3/46 S ,  H05K 3/32 B
引用特許：
審査官引用 (3件)

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