特許
J-GLOBAL ID:200903028583844799

微細構造体の形成方法

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 深見 久郎 (外3名)
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平6-299379
公開番号(公開出願番号):特開平8-162387
出願日: 1994年12月02日
公開日(公表日): 1996年06月21日
要約:
【要約】【目的】 より厚いレジストを露光現像することにより、より厚さの厚い微細構造体を形成する方法を提供する。【構成】 基板上に形成されたレジスト層にシンクロトロン放射光を照射して所望のパターンを露光した後、現像液に浸漬することにより現像してレジストパターンを形成し、該レジストパターンに基づいて微細構造体を形成する方法において、現像液に浸漬する時間を延長する手段、現像液に超音波により振動を与える手段、および長波長成分を吸収するフィルタを用いる手段のいずれかを行なうことを特徴とする。
請求項(抜粋):
基板上に形成されたレジスト層にシンクロトロン放射光を照射して所望のパターンを露光した後、現像液に浸漬することにより現像してレジストパターンを形成し、該レジストパターンに基づいて微細構造体を形成する方法において、前記現像液に浸漬する時間を延長することを特徴とする、微細構造体の形成方法。
IPC (3件):
H01L 21/027 ,  G03F 7/20 501 ,  G03F 7/30 501
FI (2件):
H01L 21/30 531 E ,  H01L 21/30 569 F
引用特許:
審査官引用 (6件)
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