特許
J-GLOBAL ID：200903028589849407

III族窒化物基板の製造方法

発明者：
松本 直樹

松本 直樹 について


出願人/特許権者：
住友電気工業株式会社

住友電気工業株式会社 について


代理人 (4件)： 長谷川 芳樹 ,  寺崎 史朗 ,  柴田 昌聰 ,  近藤 伊知良
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2005-002970
公開番号（公開出願番号）：特開2006-190909
出願日： 2005年01月07日
公開日（公表日）： 2006年07月20日
要約：
【課題】 ワイヤ列によってインゴットを切断する際のクラックの発生率を低減できるIII族窒化物基板の製造方法を提供する。【解決手段】 ワイヤ22によって構成されたワイヤ列21を用いて、六方晶系のIII族窒化物結晶からなるインゴット3を切断する。このとき、インゴット3及びワイヤ22のうち少なくとも一方をワイヤ22の延伸方向Bと直交する方向に送りながら、砥液を供給しつつインゴット3を切削することによりインゴット3を切断する。インゴット3を切削する際には、ワイヤ22の延伸方向Bをインゴット3の{1-100}面に対し3°以上傾斜させる。【選択図】 図3
請求項（抜粋）：
ワイヤ列を用いて、六方晶系のIII族窒化物結晶からなるインゴットを切断することによりIII族窒化物基板を製造する方法であって、 前記インゴット及び前記ワイヤ列のうち少なくとも一方を、前記ワイヤ列に含まれるワイヤの延伸方向と交差する方向に送りながら、砥液を供給しつつ前記インゴットを切削することにより前記インゴットを切断する工程を備え、 前記インゴットを切削する際に、前記ワイヤ列に含まれるワイヤの前記延伸方向を前記インゴットの{1-100}面に対し3°以上傾斜させることを特徴とする、III族窒化物基板の製造方法。
IPC (2件)：
H01L 21/304 ,  B28D 5/04
FI (2件)：
H01L21/304 611W ,  B28D5/04 C
Fターム (15件)：
3C058AA05 ,  3C058AA07 ,  3C058AB04 ,  3C058DA03 ,  3C058DA17 ,  3C069AA01 ,  3C069BA06 ,  3C069BB01 ,  3C069BB03 ,  3C069BB04 ,  3C069BC02 ,  3C069CA04 ,  3C069CB02 ,  3C069DA06 ,  3C069EA05
引用特許：
出願人引用 (3件) 審査官引用 (8件)
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