特許
J-GLOBAL ID:200903028606948902

半導体デバイスの製造方法及び研磨方法並びに研磨装置

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 小川 勝男
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平10-095682
公開番号(公開出願番号):特開平10-337650
出願日: 1998年04月08日
公開日(公表日): 1998年12月22日
要約:
【要約】【課題】研磨能率が安定化し、研磨パッドの消耗量が減少する半導体デバイスの製造方法及び研磨方法並びに研磨装置を提供する。【解決手段】堆積物かき出し用粒子とスラリーとの混合物を研磨パッドに供給し、被加工物と研磨パッドとを相対的に移動させることにより、研磨時に発生した研磨屑が、研磨パッドの表面に堆積しようとしても、これを堆積物かき出し用粒子の作用によりかき出し、研磨能率を安定化させる。
請求項(抜粋):
研磨パッドにスラリーを供給し基板を研磨するようになした半導体デバイスの製造方法において、研磨パッド表面の堆積物をかき出すための堆積物かき出し用粒子と前記スラリーを別々に又は混合物として研磨パッド表面に供給し、基板の被加工面と前記研磨パッド表面とを相対的に移動させることにより基板を研磨することを特徴とする半導体デバイスの製造方法。
IPC (2件):
B24B 37/00 ,  H01L 21/304 321
FI (2件):
B24B 37/00 A ,  H01L 21/304 321 M
引用特許:
出願人引用 (5件)
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審査官引用 (5件)
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