特許
J-GLOBAL ID：200903028647682534

不揮発性半導体記憶装置

発明者：
荒川 健

荒川 健 について


出願人/特許権者：
松下電器産業株式会社

松下電器産業株式会社 について


代理人 (1件)： 岡田 和秀
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-433636
公開番号（公開出願番号）：特開2005-190622
出願日： 2003年12月26日
公開日（公表日）： 2005年07月14日
要約：
【課題】 読出し動作時にワード線電圧や読出し参照電圧のトリミングが必要である不揮発性メモリにおいて、検査工程におけるトリミングパラメータの読出し不良率を低減する。 【解決手段】 メモリセルアレイ1においてトリミングパラメータを格納するトリミングパラメータ領域2に誤読出し確認用データも格納される。トリミング時に、誤読出し確認用データを読出した後に判定回路60で期待値と比較判定し、不一致時にはパラメータ変化回路62でワード線電圧(読出し参照電圧)のトリミングパラメータを段階的に変更して再度この処理を繰返す。誤読出し確認用データを正しく読み出すことが可能な設定状態に至と、トリミングパラメータを読み出してパラメータ保持回路9に保持する。検査工程で不良と誤判定されることが回避され、所期通りに正しく良判定されることになる。【選択図】 図1
請求項（抜粋）：
トリミングパラメータと誤読出し確認用データを格納するトリミングパラメータ領域を含む不揮発性のメモリセルアレイと、 前記メモリセルアレイから読み出される前記誤読出し確認用データを期待値と比較して一致しているときは活性化された判定信号を出力する判定手段と、 前記判定手段の判定信号が非活性のときにパラメータを段階的に変化させるパラメータ変化手段と、 前記メモリセルアレイから読み出される前記トリミングパラメータを保持するパラメータ保持手段と、 前記判定手段の判定信号が非活性のときは前記パラメータ変化手段のパラメータを選択し前記判定信号が活性化されたときは前記パラメータ保持手段のパラメータを選択した上で電圧調整パラメータとして出力するパラメータ選択手段と、 前記パラメータ選択手段から受け取った前記電圧調整パラメータによって電圧値を調整する電圧レギュレータと、 初期設定信号の入力に基づいてメモリ動作を初期設定して前記メモリセルアレイから前記誤読出し確認用データを読み出し、前記判定手段が前記活性化された判定信号を出力した後は前記メモリセルアレイから前記トリミングパラメータの読出しに切り替え、前記パラメータ保持手段に読み出された前記トリミングパラメータを保持させる制御手段と を備えたことを特徴とする不揮発性半導体記憶装置。
IPC (2件)：
G11C16/06 ,  G11C16/02
FI (3件)：
G11C17/00 631 ,  G11C17/00 601Q ,  G11C17/00 632C
Fターム (4件)：
5B025AD05 ,  5B025AD09 ,  5B025AD14 ,  5B025AE08
引用特許：
出願人引用 (3件) 審査官引用 (2件)
  • 電圧降下回路
    公報種別：公開公報   出願番号：特願平4-064931   出願人：三菱電機株式会社
  • 不揮発性半導体記憶装置
    公報種別：公開公報   出願番号：特願2000-342454   出願人：株式会社日立製作所

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