不揮発性半導体記憶装置

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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：大日方富雄
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-342454
公開番号（公開出願番号）：特開2002-150789
出願日： 2000年11月09日
公開日（公表日）： 2002年05月24日
要約：

【要約】【課題】フラッシュメモリのような電気的に書込み、消去可能な不揮発性記憶装置において、専用の回路を設けることなくトリミング情報や置換情報等を記憶する記憶素子への書込みやベリファイなどを行なうことができるようにする。【解決手段】選択されたメモリセルに所定の電圧を印加することでしきい値電圧を変化させしきい値電圧の相違により情報を記憶する複数のメモリセルからなり、一部のメモリセルを予備メモリセルとしたメモリアレイを備えた不揮発性半導体記憶装置において、上記メモリアレイ(11)のビット線(MB)に伝送スイッチ(Qti)を介して接続されたラッチ回路(LT)を設け、上記メモリアレイには少なくとも不良ビットを上記予備のメモリセルに置き換えるための置換情報が記憶可能にされ、該置換情報は上記メモリアレイから上記伝送スイッチを介して上記ラッチ回路に転送されて保持されるように構成した。

請求項（抜粋）：

選択されたメモリセルに所定の電圧を印加することでしきい値電圧を変化させしきい値電圧の相違によりデータを記憶する複数のメモリセルからなるメモリアレイを備えた不揮発性半導体記憶装置において、上記メモリアレイ内の一部が予備のメモリセルとして用いられるとともに、上記メモリアレイのビット線に伝送スイッチを介して接続されたラッチ回路を備え、上記メモリアレイには少なくとも不良ビットを上記予備のメモリセルに置き換えるための置換情報が記憶可能にされ、該置換情報は上記メモリアレイから上記伝送スイッチを介して上記ラッチ回路に転送されて保持可能に構成されていることを特徴とする不揮発性半導体記憶装置。

IPC (9件)：

G11C 29/00 603 , G11C 29/00 , G01R 31/28 , G06F 12/16 310 , G11C 16/06 , H01L 21/8247 , H01L 27/115 , H01L 29/788 , H01L 29/792

FI (11件)：

G11C 29/00 603 J , G11C 29/00 603 K , G11C 29/00 603 L , G11C 29/00 603 P , G06F 12/16 310 P , G01R 31/28 B , G11C 17/00 632 C , G11C 17/00 634 G , G11C 17/00 639 B , H01L 27/10 434 , H01L 29/78 371

Fターム (45件)：

2G032AA08 , 2G032AB01 , 2G032AG01 , 2G032AH04 , 2G032AK00 , 2G032AK11 , 5B018GA04 , 5B018HA35 , 5B018NA06 , 5B018PA01 , 5B018QA13 , 5B025AA03 , 5B025AB01 , 5B025AC01 , 5B025AD01 , 5B025AD04 , 5B025AD05 , 5B025AD06 , 5B025AD13 , 5B025AD16 , 5B025AE00 , 5B025AE08 , 5B025AE09 , 5F001AA01 , 5F001AB08 , 5F001AC06 , 5F001AE08 , 5F001AH07 , 5F083EP02 , 5F083EP23 , 5F083ER02 , 5F083ER19 , 5F083ER22 , 5F083KA06 , 5F083ZA10 , 5F101BA01 , 5F101BB05 , 5F101BC11 , 5F101BE07 , 5F101BG07 , 5L106AA10 , 5L106CC01 , 5L106CC09 , 5L106FF08 , 5L106GG01

引用特許：

審査官引用 (5件)

不揮発性半導体記憶装置及びデータプロセッサ
公報種別：公開公報出願番号：特願平6-148677 出願人：株式会社日立製作所
フラッシュ・メモリ集積回路用トリムビット回路
公報種別：公開公報出願番号：特願平11-004380 出願人：インフォメーション・ストレジ・デバイシーズ・インコーポレーテッド
不揮発性半導体メモリ装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平9-253594 出願人：三洋電機株式会社

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