特許
J-GLOBAL ID：200903028652867160
低κ誘電体に対する損傷を最小にする金属プラグの事前清浄化方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
中村 稔 (外9名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-306813
公開番号（公開出願番号）：特開2001-203194
出願日： 2000年09月01日
公開日（公表日）： 2001年07月27日
要約：
【要約】【課題】 半導体加工片上の金属導体の上側に位置する低κ炭素含有誘電体に対する損傷を最小にするように金属のコンタクト領域を清浄化するプロセスを提供する。【解決手段】 低κ誘電体内にコンタクト開口を形成させ(ステップ104)て下側に位置する金属導体のコンタクト領域を露出させた後に、加工片を、水素含有ガス及びヘリウムガスの混合体をプラズマ分解して形成させた雰囲気に曝露させる(ステップ106)ことによって、これらのコンタクト領域を清浄化する。本事前清浄化プロセスは、フォトレジストを除去するための酸素プラズマアッシングプロセス(ステップ105)のような先行プロセスステップによって誘電体に生じた損傷を修復することができる。
請求項（抜粋）：
半導体ワークピース上の低κ誘電体内の少なくとも1つの開口内に露出している金属導体の領域を清浄化する方法であって、上記金属導体の領域を露出させている少なくとも1つの開口を有し、3.0よりも小さいかまたはそれに等しい誘電定数を有する誘電体を含んでいる半導体ワークピースを準備するステップと、上記ワークピースを、ヘリウム及び少なくとも1つの水素含有ガス種を含むガス混合体をプラズマ分解して発生させた雰囲気に曝露させるステップと、を含むことを特徴とする方法。
IPC (4件)：
H01L 21/3065
, H01L 21/304 645
, H01L 21/304
, H01L 21/768
H01L 21/304 645 C
, H01L 21/304 645 A
, H01L 21/302 N
, H01L 21/90 A
, H01L 21/90 J
