サブクオーターミクロン適用のための、メタライゼーションに先立つ予備洗浄方法

発明者： , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：中村稔 (外9名)
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-526963
公開番号（公開出願番号）：特表2002-500276
出願日： 1998年11月02日
公開日（公表日）： 2002年01月08日
要約：

【要約】本発明は一般に、半導体基板上のサブミクロン構造について、メタライゼーションに先立つ予備洗浄を提供する。この方法は、酸素、CF4/O2の混合物またはHe/NF3の混合物のような反応性ガスのプラズマからのラジカルを用いてサブミクロン構造を洗浄することを含み、このプラズマは、好ましくは遠隔プラズマ源により発生され、ラジカルは基板が配置されるチャンバーに供給される。サブミクロン構造内に残留する自然酸化物は、好ましくは、第二の工程において水素を含むプラズマからのラジカルで還元される。第一のまたは両方の洗浄工程に続いて、当該構造は、利用可能なメタライゼーション技術によって金属で充填することができる。これは、典型的には、アルミニウム、銅またはタングステンの蒸着に先立って、露出した誘電体表面にバリア/ライナー層を蒸着することを含む。この予備洗浄およびメタライゼーション工程は、入手可能な一貫処理プラットホーム上で行うことができる。

請求項（抜粋）：

半導体基板上の誘電体層に形成された構造を予備洗浄する方法であって: a)遠隔プラズマ源の中で反応性ガスのプラズマを発生させる工程と; b)反応性ガスのプラズマからラジカルを、前記基板を収容するプロセスチャンバーへと供給する工程とを具備する方法。

IPC (4件)：

C23C 16/02 , H01L 21/3065 , H01L 21/304 645 , H01L 21/768

FI (4件)：

C23C 16/02 , H01L 21/304 645 C , H01L 21/302 N , H01L 21/90 C

引用特許：

審査官引用 (8件)

半導体装置の製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平6-199639 出願人：富士通株式会社
特開平4-229621
特開平4-229621

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