特許

J-GLOBAL ID：200903028698756265

導電層の形成方法、及び半導体装置の作製方法

発明者： 山崎 舜平 ,  鈴木 幸恵 ,  荒井 康行
出願人/特許権者： 株式会社半導体エネルギー研究所
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2005-302709
公開番号（公開出願番号）：特開2007-115739
出願日： 2005年10月18日
公開日（公表日）： 2007年05月10日
要約：

【課題】表面の平滑化が可能な導電層の形成方法を提供する。また、表面が平滑化された導電層を有する半導体装置の作製方法を提供する。【解決手段】導電性粒子を含む組成物を塗布し、酸素雰囲気において組成物に第1のレーザ光を照射して表面が平滑な導電層を形成し、当該導電層に、窒素、希ガス、水素のいずれかの雰囲気において第2のレーザ光を照射して導電層を緻密化して、抵抗が低減される導電層を形成する。本発明により、平滑性を有し且つ抵抗値の低い導電層を形成することが可能である。また、ゲートリーク電流が低減された薄膜トランジスタを歩留まり高く作製することができる。【選択図】 図1

請求項（抜粋）：

導電性粒子を含む組成物を基板上に塗布し、 酸素雰囲気において前記組成物に第1のレーザ光を照射して第1の導電層を形成し、 窒素、希ガス、水素のいずれかの雰囲気において、前記第1の導電層に第2のレーザ光を照射して第2の導電層を形成することを特徴とする導電層の形成方法。

IPC (8件)：

H01L 21/288 ,  H01L 21/28 ,  H01L 21/320 ,  H01L 29/786 ,  H01L 21/336 ,  G02F 1/134 ,  G09F 9/00 ,  G09F 9/30

FI (8件)：

H01L21/288 Z ,  H01L21/28 B ,  H01L21/88 B ,  H01L29/78 617J ,  H01L29/78 627A ,  G02F1/1343 ,  G09F9/00 342Z ,  G09F9/30 338

Fターム (108件)：

2H092GA17 ,  2H092JB07 ,  2H092JB56 ,  2H092KB25 ,  2H092MA10 ,  2H092MA30 ,  2H092MA35 ,  2H092NA19 ,  2H092PA09 ,  2H092PA12 ,  4M104AA09 ,  4M104BB02 ,  4M104BB04 ,  4M104BB05 ,  4M104BB06 ,  4M104BB07 ,  4M104BB08 ,  4M104BB09 ,  4M104BB13 ,  4M104BB14 ,  4M104BB16 ,  4M104BB17 ,  4M104BB18 ,  4M104BB36 ,  4M104CC05 ,  4M104DD51 ,  4M104DD81 ,  4M104GG09 ,  4M104GG10 ,  4M104GG14 ,  4M104HH12 ,  5C094AA04 ,  5C094AA22 ,  5C094AA42 ,  5C094AA55 ,  5C094BA03 ,  5C094BA43 ,  5C094CA19 ,  5C094DA15 ,  5C094EA04 ,  5C094FB01 ,  5C094FB12 ,  5C094GB10 ,  5C094HA08 ,  5F033HH07 ,  5F033HH08 ,  5F033HH11 ,  5F033HH13 ,  5F033HH14 ,  5F033HH16 ,  5F033HH17 ,  5F033HH18 ,  5F033HH19 ,  5F033HH20 ,  5F033HH38 ,  5F033PP26 ,  5F033QQ53 ,  5F033QQ73 ,  5F033QQ83 ,  5F033VV06 ,  5F033VV15 ,  5F033XX01 ,  5F110AA06 ,  5F110AA18 ,  5F110BB01 ,  5F110CC02 ,  5F110CC07 ,  5F110DD02 ,  5F110DD03 ,  5F110EE02 ,  5F110EE31 ,  5F110EE42 ,  5F110EE48 ,  5F110FF02 ,  5F110FF03 ,  5F110FF04 ,  5F110FF09 ,  5F110FF28 ,  5F110FF30 ,  5F110GG02 ,  5F110GG05 ,  5F110GG13 ,  5F110GG14 ,  5F110GG16 ,  5F110GG25 ,  5F110GG44 ,  5F110HJ12 ,  5F110HJ13 ,  5F110HK09 ,  5F110HK21 ,  5F110HK25 ,  5F110HK35 ,  5F110HM15 ,  5F110NN12 ,  5F110NN71 ,  5F110NN72 ,  5F110NN73 ,  5F110PP01 ,  5F110PP03 ,  5F110PP34 ,  5F110QQ11 ,  5F110QQ19 ,  5G435AA17 ,  5G435BB12 ,  5G435CC09 ,  5G435HH12 ,  5G435KK05 ,  5G435KK10

引用特許：

出願人引用 (1件)

• 導電層の作製方法及び半導体装置の作製方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2004-008892   出願人：株式会社半導体エネルギー研究所

審査官引用 (3件)

• 半導体素子の作製方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2004-306331   出願人：株式会社半導体エネルギー研究所
• 金属銅薄膜の形成方法および銅薄膜形成用組成物
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2001-146723   出願人：ジェイエスアール株式会社
• 金属ペーストの焼成方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平9-130366   出願人：日本真空技術株式会社