特許

J-GLOBAL ID：200903092545871154

半導体素子の作製方法

発明者： 藤井 厳 ,  前川 慎志 ,  山崎 舜平
出願人/特許権者： 株式会社半導体エネルギー研究所
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-306331
公開番号（公開出願番号）：特開2005-150710
出願日： 2004年10月21日
公開日（公表日）： 2005年06月09日
要約：

【課題】従来の半導体素子の作製工程において、液滴吐出法を用いて導電材料を含む組成物を吐出することにより上記各種配線を形成すると、配線の形状が液滴の表面張力によって丸みを帯びた形状となる。そのため、平坦性や平滑性を失い、その後、上記各種配線上に絶縁膜を形成したり、コンタクトホールを開孔したりする際に、上部配線や半導体膜とのショートや、コンタクト不良等の不都合が生じていた。【解決手段】 本発明は、半導体素子を形成するにあたって、半導体素子を構成するゲート電極、走査線、信号線、画素電極等の各種配線となる導電材料を含む組成物を液滴吐出法によって吐出し導電膜を形成した後、該導電膜に対して少なくとも窒素及び酸素を含む雰囲気下において加熱処理を行うことにより、該各種配線を低抵抗化及び薄膜化すること、並びに該各種配線の表面を平滑化及び平坦化することを特徴としている。【選択図】 図6

請求項（抜粋）：

導電材料を含む組成物を吐出することにより導電膜を形成し、 前記導電膜に対して少なくとも窒素及び酸素を含む雰囲気下において加熱処理を行い、 前記導電膜上に、絶縁膜を形成することを特徴とする半導体素子の作製方法。

IPC (9件)：

H01L21/288 ,  G02F1/1343 ,  G02F1/1345 ,  G02F1/136 ,  G02F1/1368 ,  H01L21/3205 ,  H01L21/336 ,  H01L29/786 ,  H05B33/14

FI (9件)：

H01L21/288 Z ,  G02F1/1343 ,  G02F1/1345 ,  G02F1/136 ,  G02F1/1368 ,  H05B33/14 A ,  H01L21/88 B ,  H01L29/78 616K ,  H01L29/78 617J

Fターム (191件)：

2H092HA01 ,  2H092HA11 ,  2H092JA24 ,  2H092KA15 ,  2H092KB01 ,  2H092KB11 ,  2H092KB21 ,  2H092MA02 ,  2H092MA10 ,  2H092NA19 ,  2H092NA27 ,  2H092NA29 ,  3K007AB18 ,  3K007BA06 ,  3K007DB03 ,  3K007FA00 ,  3K007FA01 ,  3K007GA00 ,  4M104AA09 ,  4M104BB01 ,  4M104BB02 ,  4M104BB04 ,  4M104BB05 ,  4M104BB06 ,  4M104BB07 ,  4M104BB08 ,  4M104BB09 ,  4M104BB13 ,  4M104BB14 ,  4M104BB16 ,  4M104BB17 ,  4M104BB18 ,  4M104BB30 ,  4M104BB36 ,  4M104CC05 ,  4M104DD51 ,  4M104DD71 ,  4M104DD75 ,  4M104DD78 ,  4M104DD86 ,  4M104GG09 ,  4M104GG10 ,  4M104GG14 ,  4M104HH12 ,  4M104HH13 ,  4M104HH16 ,  5F033GG04 ,  5F033HH03 ,  5F033HH04 ,  5F033HH07 ,  5F033HH08 ,  5F033HH11 ,  5F033HH13 ,  5F033HH14 ,  5F033HH16 ,  5F033HH17 ,  5F033HH18 ,  5F033HH19 ,  5F033HH20 ,  5F033HH21 ,  5F033HH33 ,  5F033HH38 ,  5F033JJ03 ,  5F033JJ04 ,  5F033JJ07 ,  5F033JJ08 ,  5F033JJ11 ,  5F033JJ13 ,  5F033JJ14 ,  5F033JJ16 ,  5F033JJ17 ,  5F033JJ18 ,  5F033JJ19 ,  5F033JJ20 ,  5F033JJ21 ,  5F033JJ33 ,  5F033JJ38 ,  5F033KK04 ,  5F033PP26 ,  5F033QQ00 ,  5F033QQ09 ,  5F033QQ11 ,  5F033QQ12 ,  5F033QQ19 ,  5F033QQ31 ,  5F033QQ37 ,  5F033QQ48 ,  5F033QQ73 ,  5F033QQ75 ,  5F033QQ90 ,  5F033RR04 ,  5F033RR06 ,  5F033RR08 ,  5F033RR21 ,  5F033RR22 ,  5F033RR25 ,  5F033SS15 ,  5F033SS21 ,  5F033VV15 ,  5F033XX01 ,  5F033XX02 ,  5F033XX10 ,  5F110AA03 ,  5F110AA16 ,  5F110AA18 ,  5F110AA28 ,  5F110BB02 ,  5F110BB04 ,  5F110CC02 ,  5F110CC05 ,  5F110CC07 ,  5F110DD01 ,  5F110DD02 ,  5F110DD03 ,  5F110DD12 ,  5F110DD13 ,  5F110DD14 ,  5F110DD15 ,  5F110EE01 ,  5F110EE02 ,  5F110EE03 ,  5F110EE04 ,  5F110EE07 ,  5F110EE08 ,  5F110EE11 ,  5F110EE14 ,  5F110EE15 ,  5F110EE37 ,  5F110EE42 ,  5F110EE48 ,  5F110FF02 ,  5F110FF03 ,  5F110FF04 ,  5F110FF06 ,  5F110FF10 ,  5F110FF28 ,  5F110FF30 ,  5F110FF36 ,  5F110GG01 ,  5F110GG02 ,  5F110GG06 ,  5F110GG13 ,  5F110GG14 ,  5F110GG15 ,  5F110GG16 ,  5F110GG25 ,  5F110GG32 ,  5F110GG33 ,  5F110GG34 ,  5F110GG45 ,  5F110GG47 ,  5F110GG52 ,  5F110HJ01 ,  5F110HJ04 ,  5F110HJ13 ,  5F110HK01 ,  5F110HK02 ,  5F110HK03 ,  5F110HK04 ,  5F110HK06 ,  5F110HK07 ,  5F110HK08 ,  5F110HK09 ,  5F110HK14 ,  5F110HK15 ,  5F110HK16 ,  5F110HK21 ,  5F110HK22 ,  5F110HK25 ,  5F110HK32 ,  5F110HK33 ,  5F110HK35 ,  5F110HK42 ,  5F110HL01 ,  5F110HL02 ,  5F110HL03 ,  5F110HL04 ,  5F110HL06 ,  5F110HL07 ,  5F110HL08 ,  5F110HL12 ,  5F110HL14 ,  5F110HM15 ,  5F110NN03 ,  5F110NN14 ,  5F110NN16 ,  5F110NN22 ,  5F110NN23 ,  5F110NN24 ,  5F110NN27 ,  5F110NN33

引用特許：

出願人引用 (1件)

• 薄膜形成方法ならびにこれを用いた薄膜構造体の製造装置、半導体装置の製造方法、および電気光学装置の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2001-324120   出願人：セイコーエプソン株式会社

審査官引用 (5件)

• 金属ペーストの焼成方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平9-130366   出願人：日本真空技術株式会社
• パターン転写装置,パターン転写方法および転写用原版の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2001-022679   出願人：株式会社日立製作所
• 金属銅薄膜の形成方法および銅薄膜形成用組成物
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2001-146723   出願人：ジェイエスアール株式会社
• 膜パターンの形成方法、膜パターン形成装置、導電膜配線、電気光学装置、電子機器、並びに非接触型カード媒体
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2002-113586   出願人：セイコーエプソン株式会社
• 成膜方法及びその方法を用いて製造したデバイス、並びにデバイスの製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2002-070393   出願人：セイコーエプソン株式会社