特許
J-GLOBAL ID：200903028715432061

磁気抵抗素子および磁気メモリ

発明者：
上 田 知 正

上 田 知 正 について

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相 川 尚 徳

相 川 尚 徳 について

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吉 川 将 寿

吉 川 将 寿 について

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下 村 尚 治

下 村 尚 治 について

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中 山 昌 彦

中 山 昌 彦 について

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池 川 純 夫

池 川 純 夫 について

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細 谷 啓 司

細 谷 啓 司 について

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長 嶺 真

長 嶺 真 について


出願人/特許権者：
株式会社東芝

株式会社東芝 について


代理人 (5件)： 吉武 賢次 ,  橘谷 英俊 ,  佐藤 泰和 ,  吉元 弘 ,  川崎 康
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2007-016930
公開番号（公開出願番号）：特開2008-186861
出願日： 2007年01月26日
公開日（公表日）： 2008年08月14日
要約：
【課題】磁化反転の際の反転電流をより低減することを可能にする。【解決手段】第1面およびこの第1面と反対側の第2面を有し磁化の向きが可変の磁化自由層10と、磁化自由層の第1面および第2面のうち第1面側に設けられ磁化の向きが固着された磁化固着層6と、磁化自由層と磁化固着層との間に設けられた第1トンネルバリア層8と、磁化自由層の第2面に設けられた第2トンネルバリア層12と、第2トンネルバリア層の磁化自由層と反対側の面に接するように設けられた非磁性層14とを備え、磁化自由層の磁化の向きは、磁化固着層と非磁性層との間で通電することにより変化可能であり、第1トンネルバリア層と第2トンネルバリア層の抵抗比が1:0.25〜1:4の範囲にある。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
第1面およびこの第1面と反対側の第2面を有し磁化の向きが可変の磁化自由層と、前記磁化自由層の第1面および第2面のうち第1面側に設けられ磁化の向きが固着された磁化固着層と、前記磁化自由層と前記磁化固着層との間に設けられた第1トンネルバリア層と、前記磁化自由層の第2面に設けられた第2トンネルバリア層と、前記第2トンネルバリア層の前記磁化自由層と反対側の面に接するように設けられた非磁性層とを備え、 前記磁化自由層の磁化の向きは、前記磁化固着層と前記非磁性層との間で通電することにより変化可能であり、 前記第1トンネルバリア層と前記第2トンネルバリア層の抵抗比が1:0.25〜1:4の範囲にあることを特徴とする磁気抵抗素子。
IPC (4件)：
H01L 43/08 ,  H01L 43/10 ,  H01L 21/824 ,  H01L 27/105
FI (3件)：
H01L43/08 Z ,  H01L43/10 ,  H01L27/10 447
Fターム (38件)：
4M119AA03 ,  4M119BB01 ,  4M119CC05 ,  4M119DD03 ,  4M119DD05 ,  4M119DD06 ,  4M119DD09 ,  4M119DD10 ,  4M119DD25 ,  4M119DD26 ,  4M119DD33 ,  4M119DD45 ,  4M119EE22 ,  4M119EE27 ,  4M119JJ15 ,  5F092AA01 ,  5F092AB08 ,  5F092AC12 ,  5F092AD25 ,  5F092BB17 ,  5F092BB22 ,  5F092BB35 ,  5F092BB36 ,  5F092BB42 ,  5F092BB49 ,  5F092BB51 ,  5F092BB53 ,  5F092BB55 ,  5F092BC02 ,  5F092BC04 ,  5F092BC07 ,  5F092BC13 ,  5F092BC42 ,  5F092BC43 ,  5F092BE27 ,  5F092CA13 ,  5F092CA20 ,  5F092CA26
引用特許：
出願人引用 (5件)
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審査官引用 (4件)
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