特許
J-GLOBAL ID：200903075297172277

磁気抵抗効果素子および磁気メモリ

発明者：
斉 藤 好 昭

斉 藤 好 昭 について


出願人/特許権者：
株式会社東芝

株式会社東芝 について


代理人 (5件)： 吉武 賢次 ,  橘谷 英俊 ,  佐藤 泰和 ,  吉元 弘 ,  川崎 康
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-194513
公開番号（公開出願番号）：特開2005-032878
出願日： 2003年07月09日
公開日（公表日）： 2005年02月03日
要約：
【課題】熱安定性に優れ、磁化自由層のスピンモーメントのスイッチングを繰り返しても安定した磁化固着層の磁区を維持することを可能にする。【解決手段】スピンモーメントが膜面に垂直な方向に向いてスピンモーメントの方向が固定された磁性層を有する磁化固着層4と、スピンモーメントが膜面に垂直な方向に向く磁気記録層8と、磁化固着層と磁気記録層との間に設けられる非磁性層6と、磁化固着層の少なくとも側面に設けられた反強磁性膜9と、を備えている。【選択図】 図1
請求項（抜粋）：
スピンモーメントが膜面に垂直な方向に向いて前記スピンモーメントの方向が固定された磁性膜を有する磁化固着層と、 スピンモーメントが膜面に垂直な方向に向く磁気記録層と、 前記磁化固着層と前記磁気記録層との間に設けられる非磁性層と、 前記磁化固着層の少なくとも側面に設けられた反強磁性膜と、 を備えたことを特徴とする磁気抵抗効果素子。
IPC (7件)：
H01L43/08 ,  G11C11/15 ,  H01F10/14 ,  H01F10/16 ,  H01F10/32 ,  H01L27/105 ,  H01L43/10
FI (8件)：
H01L43/08 Z ,  H01L43/08 M ,  G11C11/15 110 ,  H01F10/14 ,  H01F10/16 ,  H01F10/32 ,  H01L43/10 ,  H01L27/10 447
Fターム (18件)：
5E049AA01 ,  5E049AA04 ,  5E049AA07 ,  5E049BA06 ,  5F083FZ10 ,  5F083GA11 ,  5F083JA36 ,  5F083JA37 ,  5F083JA38 ,  5F083JA39 ,  5F083KA01 ,  5F083KA05 ,  5F083MA06 ,  5F083MA16 ,  5F083MA19 ,  5F083PR12 ,  5F083PR22 ,  5F083PR40
引用特許：
出願人引用 (5件)
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審査官引用 (5件)
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