特許
J-GLOBAL ID：200903092170748449
記憶素子及びメモリ
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (2件)：
角田 芳末
, 磯山 弘信
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-344758
公開番号（公開出願番号）：特開2006-156685
出願日： 2004年11月29日
公開日（公表日）： 2006年06月15日
要約：
【課題】 記録された情報を読み出す際に充分な出力が得られると共に、スピン注入効率を向上することにより、書き込みに要する電流値を低減することができる記憶素子を提供する。【解決手段】 情報を磁性体の磁化状態により保持する記憶層13の上下に、それぞれスペーサ層12,14を介して磁化固定層11,15が設けられ、記憶層13の上下の磁化固定層11,15において、それぞれ記憶層13に最も近い強磁性層11,15の磁化M1,M3の向きが互いに反対向きであり、積層方向に電流を流すことにより記憶層13の磁化M2の向きが変化して、記憶層13に対して情報の記録が行われ、記憶層13の上下の2つのスペーサ層12,14の面積が異なっている記憶素子10を構成する。【選択図】 図1
請求項（抜粋）：
情報を磁性体の磁化状態により保持する記憶層を有し、
前記記憶層の上下に、それぞれスペーサ層を介して、磁化固定層が設けられ、
前記記憶層の上下の前記磁化固定層において、それぞれ前記記憶層に最も近い強磁性層の磁化の向きが互いに反対向きであり、
積層方向に電流を流すことにより、前記記憶層の磁化の向きが変化して、前記記憶層に対して情報の記録が行われ、
前記記憶層の上下の2つの前記スペーサ層の面積が異なっている
ことを特徴とする記憶素子。
IPC (4件)：
H01L 43/08
, G11C 11/15
, H01L 27/105
, H01L 21/824
H01L43/08 Z
, G11C11/15 110
, H01L27/10 447
5F083FZ10
, 5F083GA05
, 5F083JA02
, 5F083JA37
, 5F083JA38
, 5F083JA39
, 5F083JA40
, 5F083PR04
, 5F083PR33
出願人引用 (5件)
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審査官引用 (7件)
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