特許
J-GLOBAL ID:200903028718499094
アモルファスシリコン薄膜製造方法
発明者:
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出願人/特許権者:
代理人 (1件):
石島 茂男 (外1名)
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平10-262550
公開番号(公開出願番号):特開2000-091242
出願日: 1998年09月17日
公開日(公表日): 2000年03月31日
要約:
【要約】【課題】スループットの高いa-Si薄膜形成方法を提供する。【解決手段】本発明は、a-Si薄膜製造方法であり、基板2を真空雰囲気中に配置し、原料ガスを導入し、そのプラズマを発生させて基板2表面にa-Si薄膜を形成した後不活性ガスを導入し、プラズマを発生させる。a-Si薄膜表面がプラズマに曝されるので、短時間で脱水素処理を行うことができる。a-Si薄膜を形成した反応室151内で脱水素処理を行うこともできる。
請求項(抜粋):
基板表面にアモルファスシリコン薄膜を形成するアモルファスシリコン薄膜製造方法であって、真空雰囲気中に原料ガスを導入し、前記原料ガスプラズマを発生させて前記基板表面にアモルファスシリコン薄膜を形成した後、前記基板が置かれた真空雰囲気中に不活性ガス、又は水素ガス、又は不活性ガスに水素ガスを添加したガスを処理ガスとして導入し、前記処理ガスのプラズマを発生させ、前記アモルファスシリコン薄膜表面を前記プラズマに曝し、前記アモルファスシリコン薄膜の脱水素処理を行うことを特徴とするアモルファスシリコン薄膜製造方法。
IPC (6件):
H01L 21/205
, C01B 33/02
, C23C 16/24
, C23C 16/505
, C23C 16/56
, H01L 31/04
FI (6件):
H01L 21/205
, C01B 33/02 D
, C23C 16/24
, C23C 16/50 B
, C23C 16/56
, H01L 31/04 V
Fターム (40件):
4G072AA03
, 4G072BB09
, 4G072FF01
, 4G072GG03
, 4G072HH04
, 4G072NN13
, 4G072QQ06
, 4G072RR01
, 4G072RR11
, 4G072RR25
, 4G072UU30
, 4K030AA06
, 4K030BA30
, 4K030BB05
, 4K030CA06
, 4K030FA01
, 4K030HA03
, 4K030LA18
, 5F045AA08
, 5F045AB04
, 5F045AC01
, 5F045AC16
, 5F045AF07
, 5F045BB08
, 5F045DP04
, 5F045DQ17
, 5F045EB08
, 5F045EE14
, 5F045EF05
, 5F045EH05
, 5F045EH14
, 5F045EN04
, 5F051AA05
, 5F051BA14
, 5F051CA07
, 5F051CA08
, 5F051CA15
, 5F051CA21
, 5F051CA32
, 5F051GA03
引用特許:
審査官引用 (5件)
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半導体装置およびその作製方法
公報種別:公開公報
出願番号:特願平7-125908
出願人:株式会社半導体エネルギー研究所
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薄膜形成方法
公報種別:公開公報
出願番号:特願平6-076737
出願人:株式会社東芝
-
半導体製造装置
公報種別:公開公報
出願番号:特願平4-262053
出願人:川崎製鉄株式会社
-
非晶質半導体の形成方法
公報種別:公開公報
出願番号:特願平4-087722
出願人:三洋電機株式会社
-
半導体装置の作製方法
公報種別:公開公報
出願番号:特願平7-132902
出願人:株式会社半導体エネルギー研究所
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