熱電変換材料薄膜とセンサ素子及びその製造方法

発明者： , , , ,
出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-380686
公開番号（公開出願番号）：特開2004-179643
出願日： 2003年11月11日
公開日（公表日）： 2004年06月24日
要約：

【課題】 SiGe系薄膜、その製造方法及びその用途を提供する。【解決手段】温度差を信号源とするセンサ素子の構成要素である局部的な温度差を電気信号に変換する熱電変換材料部の部材としてのSiGe系の半導体薄膜をスパッタ法を利用して作製する方法であって、スパッタ蒸着後のSiGe系半導体薄膜材料を熱処理するSiGe系薄膜の作製方法、SiGe系半導体薄膜をスパッタ蒸着法で製膜する際に、基板温度及び/又はプラズマの出力を高めて、結晶化が進んだ構造の薄膜を形成する上記方法、及び上記方法により作製した、熱処理により良好な熱電特性を付与したことを特徴とする、温度差を信号源とするセンサ素子の構成要素である局部的な温度差を電気信号に変換する熱電変換材料部の部材としてのSiGe系薄膜、及び上記のSiGe系薄膜を構成要素として含むガスセンサ素子。【選択図】図6

請求項（抜粋）：

温度差を信号源とするセンサ素子の構成要素である、選択的な触媒反応による局部的な温度差を電気信号に変換する熱電変換材料部の部材としてのSiGe系の半導体薄膜をスパッタ法を利用して作製する方法であって、(1)基板にSiGe系半導体薄膜をスパッタ蒸着法で製膜する、(2)スパッタ蒸着後のSiGe系半導体薄膜材料を熱処理する、ことを特徴とするSiGe系薄膜の作製方法。

IPC (7件)：

H01L35/34 , C23C14/06 , C23C14/58 , G01K7/02 , G01N27/16 , H01L21/203 , H01L35/14

FI (7件)：

H01L35/34 , C23C14/06 E , C23C14/58 A , G01K7/02 A , G01N27/16 B , H01L21/203 S , H01L35/14

Fターム (31件)：

2F056KA01 , 2F056KA05 , 2F056KA16 , 2G060AA01 , 2G060AB03 , 2G060AE19 , 2G060AF07 , 2G060AG01 , 2G060AG15 , 2G060BA03 , 2G060BB12 , 2G060BB14 , 2G060BB15 , 2G060HD03 , 2G060JA01 , 2G060KA01 , 4K029BA52 , 4K029BB07 , 4K029BC10 , 4K029BD01 , 4K029CA05 , 4K029GA01 , 5F103AA08 , 5F103BB22 , 5F103BB54 , 5F103DD30 , 5F103LL13 , 5F103LL20 , 5F103PP03 , 5F103RR04 , 5F103RR05

引用特許：

出願人引用 (5件)

赤外線吸収体及びこの赤外線吸収体を用いた熱型赤外線センサ
公報種別：公開公報出願番号：特願平11-104304 出願人：オムロン株式会社
特開平4-221816
特開平1-203956

全件表示

審査官引用 (6件)

接触燃焼式ガスセンサ
公報種別：公開公報出願番号：特願平11-277401 出願人：矢崎総業株式会社
極薄基板上の量子井戸熱電材料
公報種別：公表公報出願番号：特願2000-583095 出願人：エイチアイ-ゼット・テクノロジー・インク
特開平4-221816

全件表示

前のページに戻る