特許
J-GLOBAL ID：200903028772844937
磁性薄膜及びそれを用いた磁気抵抗効果素子並びに磁気デバイス
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (2件)：
平山 一幸
, 海津 保三
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-037514
公開番号（公開出願番号）：特開2005-228998
出願日： 2004年02月13日
公開日（公表日）： 2005年08月25日
要約：
【課題】 スピン分極率の大きい磁性薄膜及びそれを用いた磁気抵抗効果素子並びに磁気デバイスを提供する。【解決手段】 基板2と基板2上に形成されるCo2 MGa1-x Alx 薄膜3とを備え、Co2 MGa1-x Alx 薄膜3はL21 またはB2単相構造を有し、薄膜のMはTi,V,Mo,W,Cr,Mn,Feの中の1種または2種以上からなり、M中の平均価電子濃度Zが5.5≦Z≦7.5であり、かつ、0≦x≦0.7である。室温において、強磁性を示し大きなスピン分極率が得られる。基板2とCo2 Fex Cr1-x Al薄膜3との間にはバッファー層4が挿入されてもよい。この磁性薄膜を用いたトンネル磁気抵抗効果素子及び巨大磁気抵抗効果素子は、室温において、低磁界で大きなTMRとGMRが得られる。【選択図】 図1
請求項（抜粋）：
基板と該基板上に形成されるCo2 MGa1-x Alx 薄膜と、を備え、
上記Co2 MGa1-x Alx 薄膜はL21 またはB2単相構造を有し、
上記薄膜のMはTi,V,Mo,W,Cr,Mn,Feの中の1種または2種以上からなり、
該M中の平均価電子濃度Zが5.5≦Z≦7.5であり、かつ、0≦x≦0.7であることを特徴とする、磁性薄膜。
IPC (7件)：
H01F10/16
, G11B5/39
, H01F10/32
, H01F41/22
, H01L27/105
, H01L43/08
, H01L43/10
H01F10/16
, G11B5/39
, H01F10/32
, H01F41/22
, H01L43/08 M
, H01L43/08 Z
, H01L43/10
, H01L27/10 447
5D034BA02
, 5D034BA15
, 5E049AC01
, 5E049BA12
, 5E049BA16
, 5E049CB01
, 5E049EB06
, 5F083FZ10
, 5F083GA11
, 5F083JA31
