酸化亜鉛単結晶

発明者： , , , , ,
出願人/特許権者： ,
代理人 (1件)：長谷川曉司
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-109729
公開番号（公開出願番号）：特開2004-315361
出願日： 2004年04月02日
公開日（公表日）： 2004年11月11日
要約：

【課題】導電性に優れた高品質の酸化亜鉛(ZnO)単結晶を提供する。【解決手段】結晶中の亜鉛以外の金属濃度が以下の式を満たすことを特徴とする酸化亜鉛単結晶。[-cM]/[+cM]≧3(式中 Mは亜鉛以外の金属を示し、[-cM]は酸化亜鉛結晶中の-c領域におけるMの濃度を、[+cM]は酸化亜鉛(ZnO)結晶中の+c領域におけるMの濃度を示すものとする。) 更に、亜鉛以外の金属(M)が2価の金属又は3価の金属であることが好ましい。【選択図】図3

請求項（抜粋）：

結晶中の亜鉛以外の金属濃度が以下の式を満たすことを特徴とする酸化亜鉛単結晶。 [-cM]/[+cM]≧3 (式中 Mは亜鉛以外の金属を示し、[-cM]は酸化亜鉛結晶中の-c領域におけるMの濃度を、[+cM]は酸化亜鉛結晶中の+c領域におけるMの濃度を示すものとする。)

IPC (1件)：

C30B29/16

FI (1件)：

C30B29/16

Fターム (11件)：

4G077AA02 , 4G077AB01 , 4G077AB04 , 4G077AB06 , 4G077AB09 , 4G077BB07 , 4G077CB03 , 4G077HA02 , 4G077HA05 , 4G077HA11 , 4G077KA01

引用特許：

出願人引用 (1件)

圧電性半導体及びその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平4-239653 出願人：日本碍子株式会社

審査官引用 (5件)

酸化亜鉛単結晶の育成方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平5-070414 出願人：日本碍子株式会社
単結晶育成用容器
公報種別：公開公報出願番号：特願2001-255151 出願人：東京電波株式会社
酸化亜鉛単結晶およびその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2000-016697 出願人：高田雅介, 太平洋セメント株式会社

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