特許
J-GLOBAL ID:200903028802130187
化学機械平坦化(CMP)後の洗浄組成物
発明者:
,
,
出願人/特許権者:
代理人 (3件):
山本 秀策
, 安村 高明
, 森下 夏樹
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2008-203642
公開番号(公開出願番号):特開2009-013417
出願日: 2008年08月06日
公開日(公表日): 2009年01月22日
要約:
【課題】超小型エレクトロニクス基板の洗浄のため(特にCMP後の洗浄のため、またはバイア形成後の洗浄のため)の洗浄溶液を提供すること。【解決手段】本発明の洗浄溶液は、第4級アンモニウムヒドロキシド、有機アミン、腐食防止剤、必要に応じて有機酸、および水を含むものを提供することにより上記課題を解決する。好ましい洗浄溶液は、テトラメチルアンモニウムヒドロキシド、モノエタノールアミン、没食子酸、アスコルビン酸、および水を含み、この洗浄溶液のアルカリ度は、溶液1グラムあたり0.073ミリ当量塩基より大きい。【選択図】なし
請求項(抜粋):
四級アンモニウムヒドロキシド、極性有機アミン、腐食防止剤、水および必要に応じて没食子酸を含む洗浄溶液であって、該腐食防止剤は、アスコルビン酸(ビタミンC)、L(+)-アスコルビン酸、イソアスコルビン酸、アスコルビン酸誘導体、カテコール、ピロガロール、レゾルシノール、ハイドロキノン、クエン酸、エチレンジアミン四酢酸(EDTA)、およびこれらの組合せからなる群から選択される、洗浄溶液。
IPC (4件):
C11D 17/08
, H01L 21/304
, C11D 7/32
, C11D 7/26
FI (5件):
C11D17/08
, H01L21/304 647A
, C11D7/32
, C11D7/26
, H01L21/304 622Q
Fターム (36件):
4H003DA14
, 4H003DA15
, 4H003EB07
, 4H003EB08
, 4H003EB11
, 4H003EB13
, 4H003EB14
, 4H003EB16
, 4H003EB19
, 4H003ED02
, 4H003ED28
, 4H003ED32
, 4H003FA15
, 5F157AA29
, 5F157AA35
, 5F157AA36
, 5F157AA63
, 5F157AA64
, 5F157AA70
, 5F157AA93
, 5F157AA96
, 5F157BB01
, 5F157BC03
, 5F157BC07
, 5F157BC54
, 5F157BD03
, 5F157BD09
, 5F157BE12
, 5F157BF12
, 5F157BF38
, 5F157BF39
, 5F157CB03
, 5F157CB15
, 5F157DA21
, 5F157DB03
, 5F157DB57
引用特許:
出願人引用 (7件)
全件表示
審査官引用 (7件)
全件表示
前のページに戻る