特許
J-GLOBAL ID:200903028802130187

化学機械平坦化(CMP)後の洗浄組成物

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (3件): 山本 秀策 ,  安村 高明 ,  森下 夏樹
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2008-203642
公開番号(公開出願番号):特開2009-013417
出願日: 2008年08月06日
公開日(公表日): 2009年01月22日
要約:
【課題】超小型エレクトロニクス基板の洗浄のため(特にCMP後の洗浄のため、またはバイア形成後の洗浄のため)の洗浄溶液を提供すること。【解決手段】本発明の洗浄溶液は、第4級アンモニウムヒドロキシド、有機アミン、腐食防止剤、必要に応じて有機酸、および水を含むものを提供することにより上記課題を解決する。好ましい洗浄溶液は、テトラメチルアンモニウムヒドロキシド、モノエタノールアミン、没食子酸、アスコルビン酸、および水を含み、この洗浄溶液のアルカリ度は、溶液1グラムあたり0.073ミリ当量塩基より大きい。【選択図】なし
請求項(抜粋):
四級アンモニウムヒドロキシド、極性有機アミン、腐食防止剤、水および必要に応じて没食子酸を含む洗浄溶液であって、該腐食防止剤は、アスコルビン酸(ビタミンC)、L(+)-アスコルビン酸、イソアスコルビン酸、アスコルビン酸誘導体、カテコール、ピロガロール、レゾルシノール、ハイドロキノン、クエン酸、エチレンジアミン四酢酸(EDTA)、およびこれらの組合せからなる群から選択される、洗浄溶液。
IPC (4件):
C11D 17/08 ,  H01L 21/304 ,  C11D 7/32 ,  C11D 7/26
FI (5件):
C11D17/08 ,  H01L21/304 647A ,  C11D7/32 ,  C11D7/26 ,  H01L21/304 622Q
Fターム (36件):
4H003DA14 ,  4H003DA15 ,  4H003EB07 ,  4H003EB08 ,  4H003EB11 ,  4H003EB13 ,  4H003EB14 ,  4H003EB16 ,  4H003EB19 ,  4H003ED02 ,  4H003ED28 ,  4H003ED32 ,  4H003FA15 ,  5F157AA29 ,  5F157AA35 ,  5F157AA36 ,  5F157AA63 ,  5F157AA64 ,  5F157AA70 ,  5F157AA93 ,  5F157AA96 ,  5F157BB01 ,  5F157BC03 ,  5F157BC07 ,  5F157BC54 ,  5F157BD03 ,  5F157BD09 ,  5F157BE12 ,  5F157BF12 ,  5F157BF38 ,  5F157BF39 ,  5F157CB03 ,  5F157CB15 ,  5F157DA21 ,  5F157DB03 ,  5F157DB57
引用特許:
出願人引用 (7件)
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審査官引用 (7件)
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