情報記録素子

発明者： ,
出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2005-255647
公開番号（公開出願番号）：特開2007-073556
出願日： 2005年09月02日
公開日（公表日）： 2007年03月22日
要約：

【課題】成形・加工性に優れた情報記録素子とくに、誘電体層に有機材料を用い、不揮発性のメモリーとして利用できる誘電特性を示す有機材料を用いた情報記録素子を提供する。【解決手段】陽極と陰極の間に少なくとも一層の有機薄膜を含有する情報記録素子において、少なくとも1層がデオキシリボ核酸(DNA)の薄膜で構成されることを特徴とする情報記録素子。また、基板10上に、ゲート電極20、誘電体層30、半導体層50、ドレイン及びソース電極40を有する電界効果型トランジスタであって、上記誘電体層30を形成する材料の少なくとも一つがデオキシリボ核酸(DNA)であることを特徴とする電界効果型トランジスタにより構成される情報記録素子。【選択図】図2

請求項（抜粋）：

情報記録素子であって、陽極と陰極の間に少なくとも一層の有機薄膜を含有し、該薄膜の少なくとも1層は、デオキシリボ核酸(DNA)の薄膜で構成されていることを特徴とする情報記録素子。

IPC (6件)：

H01L 27/28 , H01L 51/05 , H01L 21/824 , H01L 27/105 , H01L 51/30 , H01L 51/40

FI (5件)：

H01L27/10 449 , H01L27/10 444A , H01L29/28 100B , H01L29/28 280 , H01L29/28 390

Fターム (9件)：

5F083AD02 , 5F083FR05 , 5F083HA10 , 5F083JA36 , 5F083JA37 , 5F083JA38 , 5F083JA44 , 5F083JA60 , 5F083PR23

引用特許：

出願人引用 (2件)

電界効果型トランジスタ
公報種別：公開公報出願番号：特願2003-130060 出願人：株式会社リコー, 吉野勝美
特開平2-79401号公報

審査官引用 (5件)

ナノスケールワイヤ及び関連デバイス
公報種別：公表公報出願番号：特願2003-511316 出願人：プレジデント・アンド・フェロウズ・オブ・ハーバード・カレッジ, ユニバーシティ・オブ・サザンプトン
微粒子膜、その製造方法および半導体装置
公報種別：公開公報出願番号：特願2001-167034 出願人：松下電器産業株式会社
トランジスタ
公報種別：公開公報出願番号：特願2001-075835 出願人：富士ゼロックス株式会社

全件表示

前のページに戻る