特許
J-GLOBAL ID：200903028824974923

成膜方法

発明者：
牛川 治憲

牛川 治憲 について


出願人/特許権者：
東京エレクトロン株式会社

東京エレクトロン株式会社 について


代理人 (1件)： 浅井 章弘
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-143291
公開番号（公開出願番号）：特開平10-321556
出願日： 1997年05月17日
公開日（公表日）： 1998年12月04日
要約：
【要約】【課題】 ステップカバレジを低下させることなく成膜速度を上げることができる成膜方法を提供する。【解決手段】 処理容器14内に設置した被処理体Wに対して所定の成膜を行なう成膜方法において、成膜ガスを前記処理容器内に供給しつつCVDにより前記被処理体の表面に成膜を行なう第1の成膜工程と、次に、エッチングガスを前記処理容器内に供給しつつ前記第1の成膜工程にて形成された成膜を僅かにエッチングするエッチング工程と、次に、前記第1の成膜工程と同じ成膜ガスを前記処理容器内に供給しつつCVDにより前記被処理体の表面に成膜を行なう第2の成膜工程とを有するように構成したものである。これにより、成膜速度が大きいにもかかわらず、例えばビット線のコンタクトホール等の段部のステップカバレジを良好に維持する。
請求項（抜粋）：
処理容器内に設置した被処理体に対して所定の成膜を行なう成膜方法において、成膜ガスを前記処理容器内に供給しつつCVDにより前記被処理体の表面に成膜を行なう第1の成膜工程と、次に、エッチングガスを前記処理容器内に供給しつつ前記第1の成膜工程にて形成された成膜を僅かにエッチングするエッチング工程と、次に、前記第1の成膜工程と同じ成膜ガスを前記処理容器内に供給しつつCVDにより前記被処理体の表面に成膜を行なう第2の成膜工程とを有することを特徴とする成膜方法。
IPC (3件)：
H01L 21/285 ,  H01L 21/28 301 ,  H01L 21/205
FI (3件)：
H01L 21/285 C ,  H01L 21/28 301 T ,  H01L 21/205
引用特許：
審査官引用 (4件)
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