特許
J-GLOBAL ID：200903080361035746
半導体装置の製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
京本 直樹 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-167688
公開番号（公開出願番号）：特開平10-012731
出願日： 1996年06月27日
公開日（公表日）： 1998年01月16日
要約：
【要約】【課題】半導体装置のコンタクトプラグと配線層との接続を良好にすること。【解決手段】層間絶縁膜307-2に導電性のバッファ膜308,絶縁膜309を形成してから開口311を設ける。コンタクトプラグ312aを形成してから絶縁膜309を除去し、ドライエッチングで自然酸化膜を除去する。バッファ膜308から突き出た形状のコンタクトプラグを形成できる。バッファ膜308と絶縁膜309とに反射防止作用をもたせることにより形状のよい開口をひろげることができる。
請求項（抜粋）：
表面部に拡散層の形成された半導体基板上の第1の絶縁膜に、層間絶縁膜、導電性のバッファ膜及び前記バッファ膜と併せて反射防止作用をもつ第2の絶縁膜を順次に堆積する工程と、前記拡散層又は前記第1の絶縁膜を選択的に被覆し前記層間絶縁膜で覆われた第1の導電膜に達する開口を形成し、前記開口部を第2の導電膜で埋めるコンタクトプラグを形成し、前記第2の絶縁膜を除去することにより、前記コンタクトプラグの表面部を前記反射防止膜の表面より突出させる工程と、第3の導電膜を堆積しパターニングして前記層間絶縁膜を露出させて配線層を形成する工程とを含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。
IPC (2件)：
H01L 21/768
, H01L 21/28 301
H01L 21/90 D
, H01L 21/28 301 A
