特許
J-GLOBAL ID：200903028855394526
半導体装置の製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
芝野 正雅
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-029029
公開番号（公開出願番号）：特開2000-228412
出願日： 1999年02月05日
公開日（公表日）： 2000年08月15日
要約：
【要約】【課題】 チップサイズパッケージに用いられるメタルポストの頭部を露出させるプロセスの簡略化。【解決手段】 メタルポスト8の上方を完全に覆うように絶縁樹脂層Rを形成した後に、このメタルポスト頭部が露出するように樹脂層を研磨する工程を有する第1の製造方法と、メタルポスト8の上方を完全に覆うように絶縁樹脂層Rを形成した後に、ウエハ裏面をバックグラインドしてから、このメタルポスト頭部が露出するように樹脂層を研磨する工程を有する第2の製造方法とを提供することで、上記課題を解決する。
請求項（抜粋）：
LSIの電極に電気的に接続されるメタルポストと、前記メタルポストの周囲を覆う樹脂と、前記メタルポストに接続される半田ボールまたは半田バンプとを有する半導体装置の製造方法に於いて、前記メタルポスト上方を完全に覆うように樹脂を形成する工程と、前記メタルポスト頭部が露出するように前記樹脂を研磨する工程とを有する事を特徴とする半導体装置の製造方法。
IPC (2件)：
FI (2件)：
H01L 21/56 R
, H01L 23/28 Z
4M109AA01
, 4M109BA03
, 4M109CA21
, 4M109EA02
, 4M109EA07
, 5F061AA01
, 5F061BA03
, 5F061CA21
, 5F061CB13
