X線マスクブランク及びその製造方法、並びにX線マスク及びその製造方法

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：藤村康夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-341058
公開番号（公開出願番号）：特開2000-150364
出願日： 1998年11月14日
公開日（公表日）： 2000年05月30日
要約：

【要約】【課題】 1Gbit-DRAM以降のX線マスクに要求される厳しい要求特性を満し、特に、マスク作製後におけるX線吸収体パターンの膜応力の変化に起因したパターン歪みや位置変動がなく位置精度に優れるX線マスク等を提供する。【解決手段】支持基板11a上に、X線を透過するX線透過膜12を有し、該X線透過膜12上にX線を吸収するX線吸収体パターン13aを有するX線マスクであって、前記X線吸収体パターン13aは、タンタルとホウ素と窒素及び/又は酸素を含む材料からなることを特徴とする。

請求項（抜粋）：

マスク基板上に、X線を透過するX線透過膜を有し、該X線透過膜上にX線を吸収するX線吸収膜を有するX線マスクブランクであって、前記X線吸収膜は、タンタルとホウ素と窒素を含むことを特徴とするX線マスクブランク。

IPC (2件)：

H01L 21/027 , G03F 1/16

FI (2件)：

H01L 21/30 531 M , G03F 1/16 A

Fターム (6件)：

2H095BA10 , 2H095BB25 , 2H095BC08 , 5F046GD01 , 5F046GD05 , 5F046GD16

引用特許：

審査官引用 (5件)

X線マスク及びその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平10-098867 出願人：富士通株式会社
X線マスクおよびその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平9-181975 出願人：日本電気株式会社
特開平2-192116

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