外部から励磁されるトロイダルプラズマ源

発明者： , , , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (9件)：中村稔 , 大塚文昭 , 熊倉禎男 , 宍戸嘉一 , 今城俊夫 , 小川信夫 , 村社厚夫 , 西島孝喜 , 箱田篤
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-519385
公開番号（公開出願番号）：特表2004-506339
出願日： 2001年08月13日
公開日（公表日）： 2004年02月26日
要約：

ワークピースを処理するためのプラズマリアクタは、真空チャンバを画定するエンクロージャ、このエンクロージャの上にある部分に面しエンクロージャ内にワークピース支持体を有し、そしてこのエンクロージャは、このワークピース支持体のほぼ反対側近くにエンクロージャを通る少なくとも第1と第2の開口を有する。少なくとも1つの中空導管が第1と第2の開口に接続される。閉じたトロイダル通路が導管を通して与えられ、ウエハ面を横切って第1と第2の開口間に延びている。プロセスガス源がチャンバの内部に接続され、プロセスガスをドロイダル通路に供給する。コイルアンテナがRF電源に接続され、中空導体の内部に誘導結合され、且つトロイダル通路にプラズマを維持することができる。

請求項（抜粋）：

基板を処理するための排気された内部環境を画定するプラズマチャンバであって、基板支持体と、前記基板支持体に対して間隔の開けられた対面関係にあり、開口が開けられ、前記基板支持体に隣接するチャンバの内部環境にプロセスガスを流すように適合されたガス分配プレートを有し、前記ガス分配プレート及び基板支持体は、それらの間に基板処理領域を画定し、前記内部環境を共有する中空導管の内部を有し、前記ガス分配プレートの反対側にある、前記基板処理領域にそれぞれの端部開口を有する中空導管とを有し、前記導管は、前記導管内部の周りに、且つ前記チャンバの内部環境内の基板処理領域を横切って延びる通路にプラズマを維持するために、前記導管内の処理ガスのRF磁界によって放射を受けるように適合されていることを特徴とするプラズマチャンバ。

IPC (4件)：

H01L21/3065 , B01J3/00 , B01J19/08 , H05H1/46

FI (4件)：

H01L21/302 101C , B01J3/00 J , B01J19/08 E , H05H1/46 L

Fターム (21件)：

4G075AA30 , 4G075BC06 , 4G075BD01 , 4G075CA14 , 4G075CA15 , 4G075CA25 , 4G075CA47 , 4G075DA02 , 4G075EB01 , 4G075EC06 , 4G075FB02 , 4G075FC15 , 5F004AA02 , 5F004BA03 , 5F004BB11 , 5F004CA07 , 5F004DA00 , 5F004DA23 , 5F004DB03 , 5F004EB01 , 5F004EB03

引用特許：

審査官引用 (4件)

プラズマ発生器
公報種別：公開公報出願番号：特願平9-301305 出願人：熊谷浩洋
特開昭58-045736
トロイダル低電場反応性ガスソース
公報種別：公表公報出願番号：特願平11-505688 出願人：アプライドサイエンスアンドテクノロジー,インコーポレイテッド

全件表示

前のページに戻る