半導体装置、半導体装置用パターンの生成方法、半導体装置の製造方法、および半導体装置用パターン生成装置

発明者： , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (5件)：小栗昌平 , 本多弘徳 , 市川利光 , 高松猛 , 濱田百合子
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-287790
公開番号（公開出願番号）：特開2004-088102
出願日： 2003年08月06日
公開日（公表日）： 2004年03月18日
要約：

【課題】高精度で信頼性の高い半導体装置を形成することのできる半導体装置用パターンの生成方法を提供する。【解決手段】半導体チップのレイアウトパターンを設計し配置するレイアウトパターン形成工程と、前記レイアウトパターンから当該マスクパターンの面積率を抽出する工程と、前記レイアウトパターンを構成する層のデザインルールに基づいていられる当該層のパターンの最適面積率を考慮して、前記レイアウトパターンに、ダミーパターンを付加配置するダミーパターン付加工程とを含み、当該層のパターンの面積率が最適面積率となるようにしたことを特徴とする。【選択図】図2

請求項（抜粋）：

半導体チップのレイアウトパターンを設計し配置するレイアウトパターン形成工程と、前記レイアウトパターンの面積率を抽出する工程と、前記レイアウトパターンを構成する層のデザインルールにもとづいて得られる当該層のパターンの最適面積率を考慮して、当該層の面積率が最適面積率となるように、前記レイアウトパターンにダミーパターンを付加配置するダミーパターン付加工程とを含むことを特徴とする半導体装置用パターン生成方法。

IPC (4件)：

H01L21/82 , G06F17/50 , H01L21/822 , H01L27/04

FI (6件)：

H01L21/82 W , G06F17/50 658N , H01L21/82 D , H01L21/82 C , H01L27/04 A , H01L27/04 D

Fターム (26件)：

5B046AA08 , 5B046BA06 , 5F038CA02 , 5F038CA07 , 5F038CA17 , 5F038CA18 , 5F038CD10 , 5F038CD14 , 5F038EZ11 , 5F038EZ15 , 5F038EZ20 , 5F064DD02 , 5F064DD03 , 5F064DD13 , 5F064DD24 , 5F064DD26 , 5F064EE02 , 5F064EE03 , 5F064EE06 , 5F064EE15 , 5F064EE19 , 5F064EE43 , 5F064EE52 , 5F064GG03 , 5F064GG10 , 5F064HH06

引用特許：

審査官引用 (5件)

半導体装置およびダミーパターンの配置方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2001-012789 出願人：三菱電機株式会社
自動配置配線装置、その自動配置配線方法およびその自動配置配線方法により形成された半導体集積回路
公報種別：公開公報出願番号：特願2000-325655 出願人：日本電気株式会社
パターン発生方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平7-312587 出願人：株式会社東芝

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