特許
J-GLOBAL ID:200903028931093581

熱電子放出陰極

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 岩堀 邦男
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2003-372986
公開番号(公開出願番号):特開2005-135852
出願日: 2003年10月31日
公開日(公表日): 2005年05月26日
要約:
【目的】 本発明は、動作電圧を低電圧化し、放射電流の不安定性を解消し、さらに動作温度を低減し、高効率長寿命化を実現すること。【構成】 大きなエネルギーバンドギャップを持ち極めて小さな或いは負の電子親和力(NEA)を示し、且つ金属又は半導体との接触面における電子に対するバリアの小さな耐熱薄膜3としたこと。該耐熱薄膜3を金属又は半導体製の導電性基体Aに堆積してなること。前記耐熱薄膜3をダイヤモンド又はダイヤモンド状炭素薄膜(DLC)としてなること。前記導電性基体Aを板片1として、その上面又は下面等の一側面に前記耐熱薄膜Aを堆積してなること。【選択図】 図3
請求項(抜粋):
大きなエネルギーバンドギャップを持ち極めて小さな或いは負の電子親和力を示し、且つ金属又は半導体との接触面における電子に対するバリアの小さな耐熱薄膜を金属又は半導体製の導電性基体に堆積してなることを特徴とする熱電子放出陰極。
IPC (2件):
H01J1/14 ,  H01J1/15
FI (3件):
H01J1/14 A ,  H01J1/14 Z ,  H01J1/15 G
引用特許:
出願人引用 (4件)
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