特許
J-GLOBAL ID：200903029028486697
半導体装置およびその製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
梅田 勝
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-257883
公開番号（公開出願番号）：特開平10-107291
出願日： 1996年09月30日
公開日（公表日）： 1998年04月24日
要約：
【要約】【課題】 パルスレーザー光走査照射により結晶化された結晶性ケイ素膜を素子材料とする半導体装置において、結晶性の不均一性に左右されずに複数の素子間の特性安定化を図り、高性能で且つ信頼性、安定性の高い薄膜半導体装置を実現する。【解決手段】 絶縁表面を有する基板上に構成された、複数の画素電極を駆動する薄膜トランジスタを有する半導体装置において、該複数の薄膜トランジスタのチャネル領域は、パルスレーザー光の順次走査照射により結晶化された結晶性ケイ素膜よりなり、該レーザー光の走査方向における該チャネル領域が配列された間隔Pと、該結晶性ケイ素膜結晶化時の該レーザー光の順次走査間隔Sとが、概略P=nS(n:0を除く整数)となるよう構成されたことを特徴とする。
請求項（抜粋）：
絶縁表面を有する基板上に構成された、複数の画素電極を駆動する薄膜トランジスタを有する半導体装置において、該複数の薄膜トランジスタのチャネル領域は、パルスレーザー光の順次走査照射により結晶化された結晶性ケイ素膜よりなり、前記パルスレーザー光の走査方向におけるチャネル領域が配列された間隔Pと、前記パルスレーザー光の順次走査間隔Sとが、概略P=nS(n:0を除く整数)となるよう構成されたことを特徴とする半導体装置。
IPC (4件)：
H01L 29/786
, H01L 21/336
, H01L 21/20
, H01L 21/265
H01L 29/78 627 G
, H01L 21/20
, H01L 21/265 602 C
, H01L 29/78 612 B
